[发明专利]测定手机电路板中金钯含量的方法

权利要求书

1.一种测定手机电路板中金钯含量的方法，其步骤为：将废旧手机电路板预处理，所得样品利用三酸消解法浸取金钯；之后过滤定容处理，消解后金属物质全部进入滤液中，滤渣为少量非金属物质聚四氟乙烯，滤液利用电感耦合等离子体原子发射光谱法ICP-AES进行金钯含量的测定。

2.根据权利要求1所述的测定手机电路板中金钯含量的方法，其特征在于：所述的预处理，是利用电热枪或电热炉等工具，批量处理废旧手机中印刷电路板的元器件，将元器件与光板接触位置的焊锡加热，温度控制在200-210℃左右，同时配合震动，将元器件加热快速脱落；对拆解后的废旧手机电路板元器件进行破碎、磨碎，过筛后达到20～200目，得到所需样品。

3.根据权利要求1所述的测定手机电路板中金钯含量的方法，其特征在于：所述的三酸消解，将所得样品与盐酸：硝酸＝3:1的王水溶液混合置于电热板上进行反应；反应参数为：王水：样品固液比，质量/体积＝1:13-1:17，反应时间t₁＝90-105min，反应温度T₁＝170-200℃；后添加高氯酸继续消解，其高氯酸消解参数为：高氯酸：样品固液比，质量/体积＝1:5-1:9，反应时间t₂＝60-80min，反应温度T₂＝170-200℃。

4.根据权利要求1所述的测定手机电路板中金钯含量的方法，其特征在于：所述的过滤处理，是加入盐酸进行赶硝，赶硝后的滤液利用抽滤机或过滤装置将剩余非金属残渣过滤，滤液经由体积百分比4％的盐酸溶液定容，待测定。

5.根据权利要求1所述的测定手机电路板中金钯含量的方法，其特征在于：所述的测定，是利用ICP-AES在选定条件，钯波长324.27nm，金在波长242.795nm，分别测定标准曲线及样品吸光度，通过回归方程计算样品中待测元素含量。