[发明专利]一种氧化铁-硫化钼-氧化亚铜光催化薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧化铁-硫化钼-氧化亚铜光催化薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用三电极体系，以Fe²⁺的前驱体溶液作为电解液，导电基底作为工作电极，石墨电极为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，进行电沉积；再经煅烧处理制得Fe₂O₃薄膜；

(2)将步骤(1)制得的Fe₂O₃薄膜浸没于MoS₂的前躯体溶液中进行水热反应，反应结束后经洗涤得到Fe₂O₃-MoS₂薄膜；所述水热反应的温度为200～400℃，反应时间为1～5h；

(3)以Cu₂O的前驱体溶液作为电解液，以步骤(2)制得的Fe₂O₃-MoS₂薄膜为负极，FTO导电玻璃为正极，进行电泳沉积，制得Fe₂O₃-MoS₂-Cu₂O光催化薄膜；所述Cu₂O前驱体溶液由Cu₂O粉末、I₂和丙酮配制而成，其中，Cu₂O粉末的浓度为0.1～2g/L，I₂的浓度为0.01～1g/L；所述电泳沉积的电压为1～8V，沉积时间为1～10min。

2.根据权利要求1所述的氧化铁-硫化钼-氧化亚铜光催化薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，电沉积的温度为40～90℃，电沉积的电压为1～2V，电沉积的时间为0.5～10min。

3.根据权利要求1所述的氧化铁-硫化钼-氧化亚铜光催化薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述煅烧处理的温度为400～600℃，煅烧时间为1～5h。

4.根据权利要求1～3任一项所述的方法制备得到的Fe₂O₃-MoS₂-Cu₂O光催化薄膜，所得Fe₂O₃-MoS₂-Cu₂O光催化薄膜由下至上依次包括位于导电基底上的Fe₂O₃薄膜以及位于Fe₂O₃薄膜上的MoS₂薄膜和Cu₂O薄膜。

5.根据权利要求4所述的Fe₂O₃-MoS₂-Cu₂O光催化薄膜，其特征在于，所得Fe₂O₃-MoS₂-Cu₂O光催化薄膜的厚度为700～800nm。

6.利用权利要求4所述的Fe₂O₃-MoS₂-Cu₂O光催化薄膜在处理含酚废水中的应用。