[发明专利]基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201710166225.8 | 申请日: | 2017-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN106898617B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | 赵娜;邓立赟 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本公开提供一种基板,该基板包括:衬底基板;设置在所述衬底基板上的栅线和数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域;设置在所述像素区域中的薄膜晶体管;依次设置在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层;所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。本公开通过将有机绝缘层的至少与无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构来增加无机钝化层与有机绝缘层的接触面积,从而释放了无机钝化层中易于导致裂纹的内应力,进而减少或者消除了无机钝化层脱落现象的发生。
技术领域
本发明的实施例涉及一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
在显示技术领域,随着显示技术的发展以及人们对视觉感受的要求逐渐提高,高分辨率和低功耗的显示器件越来越受到人们的关注。
通常,为了降低显示器件的功耗,在层叠设置的电极之间、电极线之间或者电极与电极线之间设置有有机绝缘层。有机绝缘层的引入可以增大电极之间、电极线之间或者电极与电极线之间的距离,从而可以减小寄生电容,进而可以降低显示器件的功耗。通常,在有机绝缘层的表面还需要再设置一层无机钝化层,以进一步地降低功耗,以及防止暴露的金属线或者金属电极被氧化。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种基板,该基板包括衬底基板;设置在所述衬底基板上的栅线和数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域;设置在所述像素区域中的薄膜晶体管;依次设置在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层;所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述凹凸不平的结构包括至少一个凹面结构。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述有机绝缘层中设置有用于电连接的过孔结构,所述有机绝缘层至少在所述过孔结构的周边区域中与所述无机钝化层相接触的部分设置有所述凹面结构。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述凹面结构至少分布在距离所述过孔结构的预设距离内。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述凹面结构在所述有机绝缘层的表面呈均匀分布。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,距离所述过孔结构越远,所述凹面结构的密集程度越大。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,距离所述过孔结构越远,所述凹面结构的横截面积越大。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述有机绝缘层的厚度为1~3μm,所述过孔结构贯穿所述有机绝缘层,所述凹面结构在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸与所述过孔结构在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸之比为1/4~1/2。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述凹面结构的纵截面形状包括半圆形、半椭圆形、矩形和梯形中的至少之一。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,在所述有机绝缘层和所述无机钝化层之间形成有第一电极,所述第一电极通过所述过孔结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
例如,在本发明至少一实施例提供的基板中,所述有机绝缘层的材料包括聚酰亚胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
本发明至少一实施例提供的基板,还包括:设置在所述无机钝化层上的第二电极,其中,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极。
本发明至少一实施例还提供一种显示面板,包括上述任一项基板。
本发明至少一实施例还提供一种显示装置,包括上述任一项显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





