[发明专利]白光发光器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710166197.X 申请日: 2017-03-20
公开(公告)号: CN106848039A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 宋长伟;程志青;黄文宾;徐志波;林兓兓;蔡吉明;张家宏 申请(专利权)人: 安徽三安光电有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 241000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 白光 发光 器件 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明属于半导体领域,尤其涉及一种采用噻吩类聚合物作为有机半导体聚合物光转换层的白光发光器件及其制作方法。

背景技术

发光二极管,由于其发光效率的不断提升,今年来已经在多个应用领域逐渐取代传统的日光灯与白热灯泡。常规的制作白光二极管的方法主要是利用发光波长440nm~460nm的蓝光发光二极管芯片激发无机黄光荧光粉,通过蓝光与荧光的混合产生白光。然而,无机荧光粉存在反射力弱、发光纯度低、发光不均匀的不足。

发明内容

为解决以上的不足,本发明在其一方面白光发光器件,包括一支架、位于所述支架上的一发光二极管、一光转换层以及保护和固定所述发光二极管的透明封装结构,所述发光二极管在注入电流后发射第一光,所述光转换层吸收第一光并转换层与第一光不同的第二光,所述第二光和第一光在透明封装结构内混合形成白光,其特征在于:所述光转换层为有机半导体聚合物光转换层。

优选的,所述有机半导体聚合物为噻吩类聚合物;所述噻吩类聚合物为高等规聚3-己基噻吩;通过调节噻吩类聚合物的分子量大小和分子结构,调节所述第二光的波长。

优选的,所述第一光的波长为400~500nm,第二光的波长为500~600nm;所述第一光为蓝光,所述第二光为黄光,所述蓝光和黄光混合形成白光。

优选的,在其一实施例中所述光转换层设置于发光二极管出光面的表面,所述透明封装结构包覆发光二极管和光转换层。

优选的,在其变形实施例中所述光转换层设置于透明封装结构内,所述透明封装结构和光转换层包覆发光二极管。

另一方面,本发明提供了制作上述白光发光器件的方法,具体包括以下步骤:

S11、提供一支架和一发光二极管;

S12、将一有机半导体聚合物光转换层置于所述发光二极管出光面的表面;

S13、将一透明封装结构包覆于发光二极管和光转换层上,以保护和固定发光二极管。

优选的,所述有机半导体聚合物光转换层以真空蒸镀、涂布、网版印刷、平板印刷、溅镀、点注、浇注、或者贴合的方式形成于所述发光二极管出光面的表面。

其再一方面,本发明提供了制作上述白光发光器件的方法,具体包括以下步骤:

S21、提供一支架和一发光二极管;

S22、将一有机半导体聚合物光转换层设置于一透明封装结构内;

S23、将内置所述有机半导体聚合物光转换层的透明封装结构包覆于所述光二极管的出光面上。

本发明采用有机半导体聚合物高等规聚3-己基噻吩作为光转换层,其吸收发光二极管所发出的蓝光并转换成黄光,黄光和蓝光混合形成白光,相较于传统的采用荧光粉制作白光发光二极管而言,本发明中的白光LED具有更高的光纯度,发光更均匀。

附图说明

图1为本发明之实施例一之白光发光器件的剖面示意图。

图2为本发明之实施例一之白光发光器件的制作方法的流程示意图。

图3为本发明之实施例二之白光发光器件的剖面示意图。

图4为本发明之实施例二之白光发光器件的制作方法的流程示意图。

附图标注:10.支架;20.发光二极管;30.光转换层;40.透明封装结构;A.第一光;B.第二光;C.白光。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。需说明的是,本发明的附图均采用非常简化的非精准比例,仅用以方便、明晰的辅助说明本发明。

实施例1

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