[发明专利]一种全光二极管

权利要求书

1.一种全光二极管，包括金属-介质-金属波导结构，其特征在于：所述波导内包括DBR-金属-均匀介质结构，所述DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成，其周期数为N，所述介质A与所述介质B的折射率分别为n_A、n_B，厚度分别为d_A、d_B，满足条件其中ω₀为Bragg频率；所述DBR-金属-均匀介质结构中的金属厚度小于所述全光二极管工作波长λ的趋肤深度；所述DBR-金属-均匀介质结构中的均匀介质折射率为n_C，厚度为d_C，对于全光二极管器件的工作波长λ，满足F-P共振条件n_Cd_C＝jλ/2，其中j为整数；所述DBR的周期数N的范围是5～10。

2.根据权利要求1所述的全光二极管，其特征在于：所述高折射率介质A为GaAs或TiO₂。

3.根据权利要求1所述的全光二极管，其特征在于：所述高折射率介质B为Al₂O₃或SiO₂。

4.根据权利要求1所述的全光二极管，其特征在于：所述金属-介质-金属波导结构中的金属与所述DBR-金属-均匀介质中的金属相同，均为Ag。