[发明专利]发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法有效
| 申请号： | 201710165664.7 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107134518B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金贤儿 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 以及 模块 | ||
1.一种发光二极管，包括：
基底；
形成在基底上的第一半导体层；
形成在第一半导体层上且被构造成产生光的活性层；
形成在活性层上且具有与第一半导体层互补的导电类型的第二半导体层；以及
形成在第二半导体层上的反射图案，
反射图案包括反射金属层和形成于反射金属层上的导电阻挡层，形成在反射金属层顶部的导电阻挡层的厚度大于形成在第二半导体层上的导电阻挡层的厚度，形成在第二半导体层上的导电阻挡层的厚度大于形成在反射金属层的侧向表面上的导电阻挡层的厚度。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，反射金属层形成于第二半导体层上且构造成反射光，并且导电阻挡层屏蔽反射金属层的顶部和侧向表面。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，反射金属层的侧向表面关于第二半导体层的表面成5°至45°角倾斜。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，反射图案还包括应力松弛层，应力松弛层形成于反射金属层和导电阻挡层之间，且被构造成吸收由反射金属层和导电阻挡层之间的热膨胀系数差引起的应力。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，应力松弛层的热膨胀系数等于或高于导电阻挡层的热膨胀系数，且等于或低于反射金属层的热膨胀系数，并且反射金属层和导电阻挡层之间的热膨胀系数差不为零。
6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，反射金属层包括铝、铝合金、银或银合金。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，导电阻挡层包括钨、钨化钛、钼、钛、铬、铂、铑、钯或镍。
8.如权利要求3所述的发光二极管，其中，导电阻挡层屏蔽反射金属层，并且连续延伸至第二半导体层的表面。
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