[发明专利]液晶显示面板及其制造方法、阵列基板

说明书

本发明公开一种液晶显示面板及其制造方法、阵列基板。公共电极设置于彩膜基板一侧，像素电极形成于阵列基板的平坦层的接触孔中，并通过接触孔与薄膜晶体管的漏极电连接，并且，像素电极为柱状结构且其顶面高于平坦层的顶面，在沿平行于阵列基板的方向上像素电极与公共电极间隔设置。基于此，本发明能够简化液晶显示面板的制程，提高其光透过率，并减少电场在相邻像素电极之间的影响。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种液晶显示面板及其制造方法、阵列基板。

背景技术

LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅技术)液晶显示面板由于具有高电子迁移率、高亮度等优点，已在显示领域脱颖而出。然而其结构层数较多，制程较为复杂。如图1所示，在现有LTPS液晶显示面板10的结构设计中，彩膜基板12朝向阵列基板11的一侧设置有PS(Photo Space,间隔物)121，阵列基板11包括衬底基材111及位于衬底基材111上的各层结构，例如薄膜晶体管112、平坦层(Planarization Layer,PLN)113、像素电极114、钝化层(Passivation Layer,简称)115以及公共电极116。这些层结构一般需要9-14道制程，不仅使得制造成本居高不下，而且每一道制程均会降低液晶显示面板10的光透过率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种液晶显示面板及其制造方法、阵列基板，能够简化液晶显示面板的制程，提高其光透过率，并减少电场在相邻像素电极之间的影响。

本发明一实施例的液晶显示面板，包括相对间隔的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板包括公共电极，阵列基板包括薄膜晶体管、覆盖薄膜晶体管的平坦层、以及像素电极，其中，平坦层开设有暴露薄膜晶体管的漏极的接触孔，像素电极形成于接触孔中并通过接触孔与薄膜晶体管的漏极电连接，并且，像素电极为柱状结构且其顶面高于平坦层的顶面，在沿平行于阵列基板的方向上像素电极与公共电极间隔设置，其中，所述像素电极包括光屏蔽材料制得的柱状结构。

本发明一实施例的液晶显示面板的制造方法，包括：提供第一衬底基材；在第一衬底基材上依次形成彩色滤光片、保护层和公共电极；提供第二衬底基材；在第二衬底基材上依次形成薄膜晶体管以及覆盖薄膜晶体管的平坦层，平坦层开设有暴露薄膜晶体管的漏极的接触孔；在接触孔中形成像素电极，使得像素电极通过接触孔与薄膜晶体管的漏极电连接，并且，像素电极为柱状结构且其顶面高于平坦层的顶面，在沿平行于第二衬底基材的方向上像素电极与公共电极间隔设置；对第一衬底基材和第二衬底基材进行成盒制程，其中，采用光屏蔽材料制得所述像素电极。

本发明一实施例的阵列基板，包括薄膜晶体管、覆盖薄膜晶体管的平坦层、以及像素电极，平坦层开设有暴露薄膜晶体管的漏极的第一接触孔，像素电极形成于第一接触孔中并通过第一接触孔与薄膜晶体管的漏极电连接，并且，像素电极为柱状结构且其顶面高于平坦层的顶面，其中，所述像素电极包括光屏蔽材料制得的柱状结构。

通过上述方案，本发明实施例将公共电极设置于彩膜基板一侧、将像素电极设计为柱状结构，通过像素电极代替PS，既能够省略PS制程，还能够在形成平坦层之后省略钝化层的制程，从而能够简化液晶显示面板的制程，提高其光透过率，并且，像素电极为柱状结构能够增大相邻像素电极之间的距离，从而减少电场在相邻像素电极之间的影响。

附图说明

图1是现有技术的液晶显示面板一实施例的结构剖面示意图；

图2是本发明第一实施例的液晶显示面板的结构剖面示意图；

图3是图2所示液晶显示面板的制造方法一实施例的流程示意图；

图4是本发明第二实施例的液晶显示面板的结构剖面示意图；

图5是本发明第三实施例的液晶显示面板的结构剖面示意图。

具体实施方式