[发明专利]一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：

一，选择碳化硅单晶表面的六个直径方向；

二，根据所选六个直径方向对碳化硅单晶表面进行摇摆曲线扫描，获得衍射峰位与衍射位置，将获得的衍射峰位与衍射位置进行处理得到摇摆曲线衍射峰位沿各直径方向的分布曲线；

三，根据摇摆曲线衍射峰位沿各直径方向的分布曲线，对获得的六个径向方向的衍射峰位进行拟合处理，拟合处理后获得基平面弯曲三维示意图；

四，根据基平面弯曲三维示意图得出基平面的弯曲特性情况，结束测试；

当碳化硅单晶晶片存在晶面弯曲时，实际测试衍射峰位随着衍射位置的变化而发生改变，因此根据基平面弯曲三维示意图判断待测样品晶面的凹凸弯曲。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：所述碳化硅单晶片是采用物理气相传输法制备得到。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：根据六个直径方向所得对应的晶向分别为<11-20>、<10-10>、<2-1-10>、<1-100>、<1-210>、<0-110>。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：所述扫描采用高分辨X射线衍射仪。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于具体操作步骤如下：

（1）高分辨X射线衍射仪开机预热，将待测样品放置在高分辨X射线衍射仪的样品台上；

（2）将高分辨X射线衍射仪的扫描类型设为Rocking Curve，固定探测器在2倍晶面布拉格衍射角位置上，开始扫描，使待测样品做旋转，以改变入射角，获得摇摆曲线衍射峰位沿各直径方向的分布曲线并保存；

（3）移动待测样品的X、Y坐标，重复步骤（1）、（2），直至将某一直径方向的点全部测试完；

（4）逆时针旋转相应的角度使得另一测试直径方向转到水平位置，重复步骤（1）、（2）、（3），将待测样品的全部测试点测完；

（5）将获得的衍射峰位与衍射位置进行软件处理，获得摇摆曲线衍射峰位沿各直径方向的分布曲线；

（6）对获得的六个直径方向的衍射峰位进行拟合处理后，获得基平面弯曲三维示意图。

6.根据权利要求5所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：所述旋转相应的角度为垂直于碳化硅单晶晶片表面的法线方向旋转角度，实现待测样品的面内旋转。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：所述测试方法用于对4H-SiC单晶进行0004衍射晶面的测试时，和用于对6H-SiC单晶进行0006衍射晶面的测试时，测试晶面均为Si面。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，其特征在于：测试获得衍射峰的类型包括单峰、双峰和多峰，当出现双峰或多峰时，取衍射强度最强的衍射峰的峰位进行分析。