[发明专利]一种利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子的方法

权利要求书

1.一种利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子的方法，其特征在于，采取飞秒脉冲激光照射样品来局域改变Ta/CoFeB/MgO材料的本征阻尼因子，利用磁控溅射方法生长随机存储其需要的材料结构Ta/CoFeB/MgO，飞秒脉冲激光照射样品局域位置在所述材料结构样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子能达到室温8倍；

实验中，探测光光斑大小为140μm，功率大小为10μW,重复频率为1000 Hz；泵浦光光斑大小在300-600μm之间；这样会使得探测光所探测区域是被均匀加热的；

“在探测区域均匀加热”，使用beamviewer软件直接观察泵浦光在样品上是否在小区域内颜色一致；如果颜色不均一，利用光阑切光斑的办法使得泵浦光照射区域热量均匀。

2.根据权利要求1所述的调控MRAM材料的本征阻尼因子方法，其特征在于，实验中，使得样品本征阻尼因子发生明显增大的功率的阈值在10 mJ/cm²。

3.根据权利要求2所述的调控MRAM材料的本征阻尼因子方法，其特征在于，功率阈值测量时，该功率的功率计测量，对于连续光功率不超过200mW。

4.根据权利要求1所述的调控MRAM材料的本征阻尼因子方法，其特征在于，所有的测量环境均在室温环境下进行。

5.根据权利要求1所述的调控MRAM材料的本征阻尼因子方法，其特征在于，样品结构中磁性层薄膜厚度为10nm。

6.根据权利要求1所述的调控MRAM材料的本征阻尼因子方法，其特征在于，样品结构层覆盖层Ta的厚度为2nm。

7.根据权利要求1所述的调控MRAM材料的本征阻尼因子方法，其特征在于，样品结构的衬底为MgO（100）。