[发明专利]一种利用分步退火技术制备亚微米级无裂纹铁氧体薄膜的方法在审
| 申请号： | 201710163858.3 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107022749A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郑辉;李康复;郑鹏;郑梁 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/35;C23C14/08;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 | 代理人： | 姚海波 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 分步 退火 技术 制备 微米 裂纹 铁氧体 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用分步退火技术制备亚微米级无裂纹铁氧体薄膜的方法，其特征在于：
步骤一：清洗基片表面
使用单晶基片(例如：Si、Gd3Ga5O12、MgO、Ge等)作为衬底，清洗过程为：
(1)用丙酮超声清洗10～12分钟；
(2)用无水乙醇超声清洗10～12分钟；
(3)用去离子水超声清洗10～12分钟；
(4)用氮气吹风枪吹干基片表面；
步骤二：镀膜；
步骤三：薄膜退火
将溅射后得到的钇铁石榴石(Y3Fe5O12,YIG)薄膜放入马弗炉中，在空气氛围中慢速退火。先以一定的升温速率(0.5-2℃/min)将样品加热到一个较高的温度T1(650-800℃)，保温一段时间(2h-4h)，然后再以一定的降温速率(0.5-2℃/min)降到T2(300-650℃)，并在T2保温一段时间(2h-4h)，之后再以一定的降温速率(0.5-2℃/min)降到150℃，最后再自然降温至室温，取出。
2.根据权利要求1所述的利用分步退火技术制备亚微米级无裂纹铁氧体薄膜的方法，其特征在于：在步骤2中，镀膜采用的磁控溅射、脉冲激光沉积或分子束外的方式。
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