[发明专利]一种数据存储方法和装置

说明书

本发明公开了一种数据存储方法和装置，涉及芯片存储技术领域。所述方法，包括：当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。解决了现有的NAND FLASH固化存储区域对固有配置信息的存储方式可靠性不够高的技术问题。取得了提高NAND FLASH固化存储区域中存储的固有配置信息的可靠性的有益效果。

技术领域

本发明涉及本发明涉及芯片存储技术领域，具体涉及一种数据存储方法和装置。

背景技术

根据实现的技术架构的不同，闪存芯片可以分为NOR flash、NAND flash和DINORflash等几种类型。相比于其他几种类型的闪存，NAND flash能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，因此，它是实现大容量数据存储器的理想数据存储介质。NAND FLASH作为一种非易失性存储介质，它以半导体作为记忆载体，比传统的存储设备更能承受温度的变化、机械的振动和冲击，可靠性更高，易于实现高速度、低功耗的存储系，是解决大容量存储技术的理想方案。

NAND FLASH中芯片的固有配置信息需要在出厂前固化到芯片的FUSEROM(固化存储区域)中去，以便用户能够正常的使用芯片，而且这些信息是用户不可更改的，所以需要尽可能的提高这些数据的读写操作可靠性。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种数据存储方法和相应的一种数据存储装置。

依据本发明的一个方面，提供了一种数据存储方法，包括：

当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数；

将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。

可选地，当接收到固有配置信息时，确定在目标NAND Flash中存储所述固有配置信息所需存储页的目标个数的步骤，包括：

当接收到固有配置信息时，获取所述目标NAND Flash中的所述固化存储区域中所包含的各存储页的存储量；

根据接收到的固有化配置信息，计算用以存储所述固有化信息所需要的存储页的目标个数。

可选地，将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中

目标个数的存储块中的步骤，包括：

将所述固有配置信息以目标NAND Flash中各存储页的存储量为单位进行拆分；

将拆分后的所述固有配置信息存储至目标NAND Flash固化存储区域中目标个数的存储块中；其中，所述固化存储区域中的各存储块中最多存储一个存储页的固有配置信息，且同一存储块中的各存储页中存储的固有配置信息一致。

可选地，还包括：

当从所述固化存储区域中读取所述固有配置信息时，读取所述固化存储区域中各存储块中预设的目标存储页所存储的固有配置信息；所述目标存储页对应的读取电压满足预设电压条件。

可选地，所述预设电压条件为在进行读取操作时，所述目标存储页对应的读取电压在第一低压范围内，而所述目标存储页所在存储块中其他存储页对应的电压在第一高压范围内；所述第一高压范围与所述第一低压范围之间的差值不小于预设数值。