[发明专利]FINFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种FINFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成有至少一个鳍片和位于所述鳍片两侧的隔离结构，在所述鳍片的上方和两侧上形成有一栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有一侧墙；

对所述隔离结构执行离子掺杂工艺，掺杂后的隔离结构的刻蚀速率小于掺杂前的隔离结构的刻蚀速率；

在执行所述离子掺杂工艺之后对所述鳍片执行刻蚀工艺，去除部分所述鳍片并在刻蚀后的鳍片上生长一应力层；

其中，所述衬底上形成有第一鳍片和第二鳍片，所述第一鳍片对应形成第一导电类型的晶体管，所述第二鳍片对应形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的晶体管；以及，在所述第一鳍片和所述第二鳍片上生长应力层的方法，包括：在所述衬底上形成一第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述第二鳍片并暴露出所述第一鳍片；以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一鳍片执行刻蚀工艺，并在刻蚀后的第一鳍片上生长第一应力层；在所述衬底上形成一第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第一鳍片并暴露出所述第二鳍片；以所述第二掩膜层为掩膜对所述第二鳍片执行刻蚀工艺，并在刻蚀后的第二鳍片上生长第二应力层。

2.如权利要求1所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，所述离子掺杂工艺中掺杂的离子为氮离子。

3.如权利要求1所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，在所述第一鳍片上生长的应力层与在所述第二鳍片上生长的应力层所具有应力类型相反。

4.如权利要求1所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型的晶体管为P型晶体管，在所述第一鳍片上生长的应力层为压应力层；所述第二导电类型的晶体管为N型晶体管，在所述第二鳍片上生长的应力层为拉应力层。

5.如权利要求4所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，所述压应力层为锗硅层。

6.如权利要求4所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，所述拉应力层为磷硅层。

7.如权利要求1所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层还暴露出所述第一鳍片两侧的隔离结构，并在对所述第一鳍片执行刻蚀工艺前，对暴露出的隔离结构执行离子掺杂工艺；所述第二掩膜层还包括暴露出所述第二鳍片两侧的隔离结构，并在对所述第二鳍片执行刻蚀工艺之前，对暴露出的隔离结构执行离子掺杂工艺。

8.如权利要求1所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，在所述第一鳍片和所述第二鳍片上生长应力层的方法，还包括：

在刻蚀前的第一鳍片上和刻蚀前的第二鳍片上均覆盖一第一遮蔽层；

在所述第一遮蔽层上形成所述第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述第一鳍片上的第一遮蔽层；

以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一遮蔽层和所述第一鳍片执行刻蚀工艺，去除相应高度上的第一鳍片和第一遮蔽层，暴露出所述第一鳍片并在刻蚀后的第一鳍片上生长所述第一应力层；

在所述第一应力层上覆盖一第二遮蔽层；

在所述第二遮蔽层上形成所述第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第二鳍片上的第一遮蔽层；

以所述第二掩膜层为掩膜对所述第一遮蔽层和所述第二鳍片执行刻蚀工艺，去除相应高度上的第二鳍片和第一遮蔽层，暴露出所述第二鳍片并在刻蚀后的第二鳍片上生长所述第二应力层。

9.如权利要求8所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，所述第一遮蔽层、所述第二遮蔽层和所述侧墙的材质相同。

10.如权利要求1所述的FINFET器件的制备方法，其特征在于，利用外延工艺或化学气相沉积工艺形成所述应力层。