[发明专利]导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种导电图案结构，包括：依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和缓冲层，

其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；

所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强；

所述第一金属层设置在所述缓冲层上，所述第二金属层覆盖所述缓冲层的侧表面；

所述缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。

2.根据权利要求1所述的导电图案结构，其中，所述第一金属层的材料包括铜基金属和银基金属中的至少之一。

3.根据权利要求2所述的导电图案结构，其中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述第二金属层的材料包括金、银、铂和钯中的至少之一；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述第二金属层的材料包括铂和钯中的至少之一。

4.根据权利要求3所述的导电图案结构，其中，所述铜基金属包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述银基金属包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。

5.根据权利要求4所述的导电图案结构，其中，在所述铜基金属中，铜的质量百分含量为90wt％～100wt％；在所述银基金属中，银的质量百分含量为90wt％～100wt％。

6.根据权利要求1所述的导电图案结构，其中，所述缓冲层的厚度为20～30nm，所述第一金属层的厚度为200～400nm，所述第二金属层的厚度为10～50nm。

7.一种阵列基板，包括权利要求1-6中任一项所述的导电图案结构。

8.一种显示装置，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种导电图案结构的制备方法，包括：

在衬底基板上形成缓冲层，其中，所述缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一；

在所述缓冲层上沉积第一金属层薄膜；

对所述第一金属层薄膜进行图案化处理，以形成第一金属层；

将形成有所述第一金属层和所述缓冲层的衬底基板置于包含第二金属离子的化合物溶液中，以形成包覆所述第一金属层的上表面和全部侧表面以及所述缓冲层的侧表面的第二金属层，其中，所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，所述第一金属层的材料包括铜基金属和银基金属中的至少之一。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述第二金属层的材料包括金、银、铂和钯中的至少之一；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述第二金属层的材料包括铂和钯中的至少之一。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述包含第二金属离子的化合物溶液包括铂的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液，或者钯的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液，或者硝酸银溶液或者三氯化金溶液；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述包含第二金属离子的化合物溶液包括铂的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液或者钯的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的制备方法，所述在衬底基板上形成缓冲层，包括：

采用磁控溅射的方法或者化学气相沉积的方法形成缓冲层薄膜，并采用构图工艺形成所述缓冲层。