[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板在审
| 申请号： | 201710161372.6 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106952962A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 孟虎;梁学磊;夏继业;黄奇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 袁礼君,姜怡 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层与所述源极和/或所述漏极之间的阻挡层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和/或所述漏极位于所述阻挡层之上，且所述源极和/或漏极覆盖所述阻挡层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层包括电子阻挡层或者空穴阻挡层，其中，所述电子阻挡层采用电子阻隔材料，所述空穴阻挡层采用空穴阻隔材料。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括碳纳米管，且所述电子阻隔材料的价带顶与所述碳纳米管价带顶相等，所述电子阻隔材料的导带底与所述碳纳米管导带底之间相差一预设值。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的所述薄膜晶体管的栅极；
覆盖所述栅极的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的所述有源层；
位于所述有源层上的所述阻挡层；
位于所述阻挡层上的所述源极和/或所述漏极。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层的材料为MoO3。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的所述有源层；
位于所述有源层上的所述阻挡层；
位于所述阻挡层上的所述源极和/或所述漏极；
位于所述源极和所述漏极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的栅极。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层的材料为V2O5。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极包括金属。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的薄膜晶体管。
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