[发明专利]化合物太阳能电池以及光吸收层的制作方法

权利要求书

1.一种化合物太阳能电池，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极；

第一型掺杂半导体层，配置于所述第一电极以及所述第二电极之间，以及第二型掺杂半导体层，配置于所述第一型掺杂半导体层以及所述第二电极之间，其中所述第一型掺杂半导体层具有靠近所述第一电极的第一侧以及靠近所述第二型掺杂半导体层的第二侧，所述第一型掺杂半导体层包括多个元素的至少其中之一，且所述多个元素包括钾、铷以及铯，其中所述多个元素的至少其中之一在所述第一侧的浓度高于在所述第二侧的浓度。

2.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其特征在于，其中所述第一型掺杂半导体层包括IB族元素、IIIA族元素、VIA族元素或其组合，或IB族元素、IIB族元素、IVA族元素、VIA族元素或其组合。

3.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其特征在于，其中所述第一电极包括钼、银、铝、铬、钛、镍、金或其组合。

4.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其特征在于，其中所述第一型掺杂半导体层以及所述第二型掺杂半导体层的其中一者为P型掺杂半导体层，且所述第一型掺杂半导体层以及所述第二型掺杂半导体层的其中另一者为N型掺杂半导体层。

5.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其特征在于，还包括基板，且所述第一电极配置于所述第一型掺杂半导体层以及所述基板之间。

6.一种光吸收层的制作方法，其特征在于，包括：

形成前驱物层于基板上，所述前驱物层包括多个纳米粒子，且所述多个纳米粒子的材料包括铜氧化物、铟氧化物以及镓氧化物；

提供浆料于所述前驱物层上，其中所述浆料的材料包括碱金属化合物；以及

对所述浆料以及所述前驱物层进行热处理。

7.如权利要求6所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中形成所述前驱物层于所述基板上的方法包括：

涂布前驱物于所述基板上以形成所述前驱物层。

8.如权利要求6所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中提供所述浆料于所述前驱物层上的方法包括：

借由毛细管涂布、旋转涂布、刷涂、刮刀涂布、喷洒涂布或印刷涂布以涂布所述浆料于所述前驱物层上。

9.如权利要求6所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中所述浆料还包括溶剂，且所述碱金属化合物均匀散布于所述溶剂之中。

10.如权利要求9所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中所述溶剂包括水、醇类溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、胺类溶剂、酸类溶剂、碱类溶剂或其组合。

11.如权利要求6所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中所述碱金属化合物在所述浆料中的重量百分浓度是落在0.01％至0.6％的范围内。

12.如权利要求9所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，还包括：

提供所述浆料于所述前驱物层上之后，对所述浆料进行干燥处理以使所述溶剂挥发。

13.如权利要求6所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中所述碱金属化合物包括多个元素的至少其中之一，且所述多个元素包括钾、铷以及铯。

14.如权利要求6所述的光吸收层的制作方法，其特征在于，其中提供于所述前驱物层上的所述浆料形成膜层，且所述膜层的厚度是落在3纳米至100纳米的范围内。