[发明专利]中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法在审
| 申请号: | 201710160968.4 | 申请日: | 2017-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN107063455A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 陈艳;王广平;徐文斌;王淑华;陈伟力;雷浩 | 申请(专利权)人: | 北京环境特性研究所 |
| 主分类号: | G01J3/28 | 分类号: | G01J3/28;G01J5/52 |
| 代理公司: | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙)11466 | 代理人: | 黄启行,张璐 |
| 地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 中波 红外 成像 光谱仪 辐射 光谱 一体化 定标 方法 | ||
1.中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法,其特征在于包括:
S1、分别在第一定标温度和第二定标温度下采集黑体的干涉数据,基于该干涉数据确定光谱仪在第一定标温度下的第一响应值和在第二定标温度下的第二响应值;
S2、在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜,采集第二定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标;
S3、基于第一响应值、第二响应值以及黑体在第一定标温度和第二定标温度下的理论辐射亮度值,拟合成像光谱仪的辐射增益和辐射偏置,得到成像光谱仪的响应函数;
S4、基于聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标和其中一个特征吸收峰的理论光谱位置,确定聚乙烯薄膜另一个特征吸收峰的光谱位置,根据确定出的光谱位置以及所述另一个特征吸收峰的理论光谱位置确定光谱仪的光谱定标精度;
其中,第一定标温度与第二定标温度不相等。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S2包括:在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜;
采集第一定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第一响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的第一位置坐标;
采集第二定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的第二位置坐标;
针对聚乙烯薄膜的每一个特征吸收峰,以该特征吸收峰的第一位置坐标和第二位置坐标的平均值作为该特征吸收峰的位置坐标。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,成像光谱仪的响应函数为:
M(σ)=G(σ)·L(σ,T)+O(σ)
式中,M(σ)为成像光谱仪在位置坐标σ处的响应值;G(σ)为成像光谱仪的辐射增益,O(σ)为成像光谱仪的辐射偏置;L(σ,T)为在温度T时位置坐标σ处的辐射亮度。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于任意一个波长的光源,其在频域空间内的光谱位置以及每个光谱位置的位置坐标之间满足如下关系:
式中,σ1为第1个光谱位置,x1为光谱位置σ1处的位置坐标;σ2为第2个光谱位置,x2为光谱位置σ2处的位置坐标;σ3为第3个光谱位置,x3为光谱位置σ3处的位置坐标;σn-1为第n-1个光谱位置,xn-1为光谱位置σn-1处的位置坐标;σn为第n个光谱位置,xn为光谱位置σn处的位置坐标;n为光源对应的光谱位置个数。
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