[发明专利]中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法在审

专利信息
申请号: 201710160968.4 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN107063455A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 陈艳;王广平;徐文斌;王淑华;陈伟力;雷浩 申请(专利权)人: 北京环境特性研究所
主分类号: G01J3/28 分类号: G01J3/28;G01J5/52
代理公司: 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙)11466 代理人: 黄启行,张璐
地址: 100854*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 中波 红外 成像 光谱仪 辐射 光谱 一体化 定标 方法
【权利要求书】:

1.中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法,其特征在于包括:

S1、分别在第一定标温度和第二定标温度下采集黑体的干涉数据,基于该干涉数据确定光谱仪在第一定标温度下的第一响应值和在第二定标温度下的第二响应值;

S2、在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜,采集第二定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标;

S3、基于第一响应值、第二响应值以及黑体在第一定标温度和第二定标温度下的理论辐射亮度值,拟合成像光谱仪的辐射增益和辐射偏置,得到成像光谱仪的响应函数;

S4、基于聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标和其中一个特征吸收峰的理论光谱位置,确定聚乙烯薄膜另一个特征吸收峰的光谱位置,根据确定出的光谱位置以及所述另一个特征吸收峰的理论光谱位置确定光谱仪的光谱定标精度;

其中,第一定标温度与第二定标温度不相等。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S2包括:在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜;

采集第一定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第一响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的第一位置坐标;

采集第二定标温度下的干涉数据,基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的第二位置坐标;

针对聚乙烯薄膜的每一个特征吸收峰,以该特征吸收峰的第一位置坐标和第二位置坐标的平均值作为该特征吸收峰的位置坐标。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,成像光谱仪的响应函数为:

M(σ)=G(σ)·L(σ,T)+O(σ)

式中,M(σ)为成像光谱仪在位置坐标σ处的响应值;G(σ)为成像光谱仪的辐射增益,O(σ)为成像光谱仪的辐射偏置;L(σ,T)为在温度T时位置坐标σ处的辐射亮度。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于任意一个波长的光源,其在频域空间内的光谱位置以及每个光谱位置的位置坐标之间满足如下关系:

σ2-σ1x2-x1=σ3-σ2x3-x2=...σn-σn-1xn-xn-1]]>

式中,σ1为第1个光谱位置,x1为光谱位置σ1处的位置坐标;σ2为第2个光谱位置,x2为光谱位置σ2处的位置坐标;σ3为第3个光谱位置,x3为光谱位置σ3处的位置坐标;σn-1为第n-1个光谱位置,xn-1为光谱位置σn-1处的位置坐标;σn为第n个光谱位置,xn为光谱位置σn处的位置坐标;n为光源对应的光谱位置个数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京环境特性研究所,未经北京环境特性研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710160968.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top