[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710160732.0 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630545A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 蒙韬;陈彦伯;荣楠;吴承欢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 内衬层 种子层 表面形成 侧壁 衬底 半导体 制作 半导体器件表面 产品良率 有效减少 源漏区 保证 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；
在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层；
在所述内衬层的表面形成种子层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内衬层的材料包括二氯硅烷。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述内衬层的方法包括无选择性外延生长。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层的步骤之前还包括执行清洗处理以去除所述半导体衬底表面的颗粒副产物的步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗处理包括采用SC1清洗液进行湿法清洗。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述种子层之后还包括在所述凹槽中形成嵌入式硅锗层以及在所述嵌入式硅锗层上形成盖帽层的步骤，所述盖帽层的上表面高于所述半导体衬底的上表面。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述盖帽层之后还包括蚀刻所述盖帽层，以得到平齐、均匀的盖帽层的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，蚀刻所述盖帽层的方法包括采用HCl气体蚀刻。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；
所述凹槽的底部和侧壁上形成有内衬层；
所述内衬层的表面形成有种子层。
10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述内衬层的材料包括二氯硅烷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
