[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

形成一鳍状结构于一基底上；

形成一浅沟隔离环绕该鳍状结构；

去除部分该鳍状结构以及部分该浅沟隔离以形成一第一凹槽并同时去除该鳍状结构旁的部分该浅沟隔离以形成一第二凹槽，其中该鳍状结构的延伸方向不同于该第一凹槽的延伸方向，且该第一凹槽将该鳍状结构分隔为第一部分及第二部分；以及

形成一介电层于该第一凹槽及该第二凹槽内以形成一第一单扩散隔离结构以及第二单扩散隔离结构。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该浅沟隔离；以及

进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该鳍状结构及剩余的该浅沟隔离以形成该第一凹槽。

3.如权利要求2所述的方法，还包含进行该第一蚀刻制作工艺以去除部分该浅沟隔离使该浅沟隔离上表面低于该鳍状结构上表面。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第一凹槽下表面包含一波浪面且该第二凹槽下表面包含一平坦表面。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一单扩散隔离结构下表面包含一波浪面且该第二单扩散隔离结构下表面包含一平坦表面。

6.如权利要求1所述的方法，其中该浅沟隔离包含二氧化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其中该介电层及该浅沟隔离包含不同材料。

8.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包含氮化硅。

9.一种半导体元件，包含：

鳍状结构，延伸一第一方向于一基底上，该鳍状结构包含第一部分以及第二部分；

浅沟隔离，环绕该鳍状结构；

第一单扩散隔离结构，延伸一第二方向于该第一部分以及该第二部分之间；以及

第二单扩散隔离结构，延伸该第二方向于该浅沟隔离内并设于该鳍状结构旁。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该浅沟隔离包含二氧化硅。

11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构及该浅沟隔离包含不同材料。

12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构及该第二单扩散隔离结构包含相同材料。

13.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构及该第二单扩散隔离结构包含氮化硅。

14.一种半导体元件，包含：

鳍状结构，延伸一第一方向于一基底上，该鳍状结构包含第一部分以及第二部分；

浅沟隔离，环绕该鳍状结构；以及

第一单扩散隔离结构，延伸一第二方向于该第一部分以及该第二部分之间，其中该第一单扩散隔离结构下表面包含一波浪面。

15.如权利要求14所述的半导体元件，还包含：

第二单扩散隔离结构，延伸该第二方向于该浅沟隔离内并设于该鳍状结构旁，其中该第二单扩散隔离结构包含一平坦表面。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构及该第二单扩散隔离结构包含相同材料。

17.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构及该第二单扩散隔离结构包含氮化硅。

18.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构及该浅沟隔离包含不同材料。