[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效
| 申请号: | 201710160582.3 | 申请日: | 2011-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN107425023B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
| 发明(设计)人: | 前田兼作;松谷弘康;守屋雄介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
微透镜的层,所述微透镜为无机材料;
平坦化层,所述平坦化层为有机材料;
在所述平坦化层与所述微透镜的层之间的应力弛豫层,所述微透镜和所述平坦化层接触所述应力弛豫层,所述应力弛豫层为由不同材料制成的多个应力弛豫层;
布置在所述平坦化层之下的滤色器的层,和布置在所述滤色器的层之下的不同的平坦化层,
其中,所述平坦化层与所述不同的平坦化层接触所述滤色器。
2.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层的应力值大于所述有机材料的应力值,所述无机材料的应力值大于所述应力弛豫层的应力值。
3.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层具有-100至100Mpa的膜应力。
4.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述微透镜的层具有约为2的折射率。
5.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层具有1.4至2.0的折射率。
6.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层包含SiOXNY,其中0<X≤l且0<Y≤l。
7.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层包含SiO。
8.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层包含SiN。
9.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述有机材料为树脂材料。
10.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述无机材料为SiN。
11.根据权利要求1的固态成像装置,还包括:
半导体衬底中的光电转换部分,所述应力弛豫层在所述微透镜与所述光电转换部分之间。
12.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述不同的平坦化层为有机材料层。
13.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述不同的平坦化层为无机材料层。
14.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述不同的平坦化层为SiN。
15.根据权利要求1的固态成像装置,还包括:
透明树脂层,所述透明树脂层接触所述微透镜,所述微透镜在所述应力弛豫层与所述透明树脂层之间。
16.根据权利要求15的固态成像装置,其中所述透明树脂层的折射率约为1.5。
17.一种电子设备,包括:
根据权利要求1的固态成像装置;以及
信号处理电路,所述信号处理电路配置为处理来自所述固态成像装置的输出信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





