[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201710160582.3 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN107425023B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 前田兼作;松谷弘康;守屋雄介 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/0232
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种固态成像装置,包括:

微透镜的层,所述微透镜为无机材料;

平坦化层,所述平坦化层为有机材料;

在所述平坦化层与所述微透镜的层之间的应力弛豫层,所述微透镜和所述平坦化层接触所述应力弛豫层,所述应力弛豫层为由不同材料制成的多个应力弛豫层;

布置在所述平坦化层之下的滤色器的层,和布置在所述滤色器的层之下的不同的平坦化层,

其中,所述平坦化层与所述不同的平坦化层接触所述滤色器。

2.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层的应力值大于所述有机材料的应力值,所述无机材料的应力值大于所述应力弛豫层的应力值。

3.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层具有-100至100Mpa的膜应力。

4.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述微透镜的层具有约为2的折射率。

5.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层具有1.4至2.0的折射率。

6.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层包含SiOXNY,其中0<X≤l且0<Y≤l。

7.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层包含SiO。

8.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述应力弛豫层包含SiN。

9.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述有机材料为树脂材料。

10.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述无机材料为SiN。

11.根据权利要求1的固态成像装置,还包括:

半导体衬底中的光电转换部分,所述应力弛豫层在所述微透镜与所述光电转换部分之间。

12.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述不同的平坦化层为有机材料层。

13.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述不同的平坦化层为无机材料层。

14.根据权利要求1的固态成像装置,其中所述不同的平坦化层为SiN。

15.根据权利要求1的固态成像装置,还包括:

透明树脂层,所述透明树脂层接触所述微透镜,所述微透镜在所述应力弛豫层与所述透明树脂层之间。

16.根据权利要求15的固态成像装置,其中所述透明树脂层的折射率约为1.5。

17.一种电子设备,包括:

根据权利要求1的固态成像装置;以及

信号处理电路,所述信号处理电路配置为处理来自所述固态成像装置的输出信号。

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