[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 201710159817.7 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN107305929B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 金东铉;内城强;裵晟洙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王东贤;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
1.一种有机发光装置,包括:
第一电极;
面向所述第一电极的第二电极;
在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,所述发光层包括第一化合物;以及
在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区,所述电子传输区包括电子传输层和电荷控制层,所述电荷控制层在所述电子传输层和所述发光层之间,所述电荷控制层包括第二化合物,且所述电子传输层包括第三化合物,
其中:
所述第一化合物由式1表示,
所述第二化合物由式2表示,且
所述第三化合物由式3表示,
式1
式2
式3
其中,在式1至3中,
A1选自由式1A表示的化合物衍生得到的单价基团,
式1A
A2选自由式2A至2D表示的化合物衍生得到的单价基团,
其中,在式1至3、1A和2A至2D中,
Y1为N(R41)或C(R42)(R43),
n1和n2各自独立地选自1、2和3,
L1至L3、L21至L23和L31至L33各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价C8-C60非芳族稠合多环基团和取代或未取代的C1-C60二价非芳族稠合杂多环基团,
a1至a3、a21至a23和a31至a33各自独立地选自0、1、2和3,
Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价C8-C60非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团,
c1和c2各自独立地选自1、2和3,
X61为N或C(R61),X62为N或C(R62),X63为N或C(R63),选自X61至X63中的至少一个为N,
R71至R80各自独立地选自由式3A表示的基团、由式3B表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价C8-C60非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
选自R71至R75中的至少一个为由式3A表示的基团,选自R76至R80中的至少一个为由式3B表示的基团,
其中,在式1至3、1A和2A至2D、3A和3B中,
X85为N或C(R85),X86为N或C(R86),X87为N或C(R87),X88为N或C(R88),选自X85和X86中的至少一个为N,选自X87和X88中的至少一个为N,
R1、R11至R20、R21、R31至R34、R41至R43、R61至R63和R81至R88各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、巯基、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价C8-C60非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q4)(Q5)(Q6)、-N(Q4)(Q5)、-B(Q4)(Q5)、-C(=O)(Q4)、-S(=O)2(Q4)和-P(=O)(Q4)(Q5),
在式2A和2B中,选自R31至R34中的至少两个是分开的或者彼此结合以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或取代或未取代的C1-C60杂环基,
在式2C中,选自R31至R34和R41至R43中的至少两个是分开的或者彼此结合以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或取代或未取代的C1-C60杂环基,
在式2D中,选自R31、R32和R41至R43中的至少两个是分开的或者彼此结合以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或取代或未取代的C1-C60杂环基,
b1、b21和b81至b84各自独立地选自1、2和3,
m1和m21各自独立地为选自0至8的整数,
t1和t2各自独立地为选自1、2和3的整数,且
所述取代的C5-C60碳环基、取代的C1-C60杂环基、取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价C8-C60非芳族稠合多环基团、取代的二价C1-C60非芳族稠合杂多环基团、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价C8-C60非芳族稠合多环基团和取代的单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价C8-C60非芳族稠合多环基团、单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12);
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价C8-C60非芳族稠合多环基团和单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团;
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价C8-C60非芳族稠合多环基团和单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价C8-C60非芳族稠合多环基团、单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22);以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q6、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价C8-C60非芳族稠合多环基团、单价C1-C60非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,且
*表示结合至相邻原子的位点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择