[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710159327.7 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN107369690B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 李承珪;权泰勋;金炳善 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/552 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括均包含驱动薄膜晶体管和存储电容器的多个像素,其中,每个像素包括:驱动半导体层,包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区;第一电极层,第一电极层的一部分与驱动沟道区叠置;第二电极层,与第一电极层叠置;节点连接线,具有连接到第一电极层的第一侧;像素电极,与第一电极层和第二电极层叠置;屏蔽层,位于第一电极层与像素电极之间,并与第一电极层、节点连接线和像素电极叠置。
本申请要求于2016年5月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0057803号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
通常,显示装置包括显示元件(或发光元件)和用于控制施加到显示元件的电信号的电子器件。电子器件可以包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和多条布线。
为了准确地控制从显示装置发射的光的量,电连接到显示元件的TFT的数量已经增加。因此,用于向TFT传输电信号的布线的数量也已经增加。
发明内容
根据一个或更多个实施例,显示装置包括均包含驱动薄膜晶体管和存储电容器的多个像素,其中,每个像素包括:驱动半导体层,包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区;第一电极层,第一电极层的一部分与驱动沟道区叠置;第二电极层,位于第一电极层的上方,第二电极层与第一电极层叠置;节点连接线,具有连接到第一电极层的一侧;像素电极,位于第二电极层的上方,像素电极与第一电极层叠置;屏蔽层,位于第一电极层与像素电极之间,屏蔽层与第一电极层、节点连接线和像素电极叠置。
恒定电压可以施加到屏蔽层。
驱动电压可以施加到屏蔽层。
每个像素还可以包括位于屏蔽层下方和第二电极层上方并供应驱动电压的下驱动电压线。
显示装置还可以包括位于下驱动电压线与屏蔽层之间的绝缘层,下驱动电压线经由绝缘层中限定的接触孔连接到屏蔽层。
节点连接线可以位于第二电极层与屏蔽层之间。
屏蔽层可以完全覆盖节点连接线。
第一电极层可以包括岛型电极层。
像素还可以包括:开关薄膜晶体管,连接到扫描线和数据线;补偿薄膜晶体管,通过扫描线的扫描信号而被导通并二极管连接驱动薄膜晶体管,节点连接线包括连接到补偿薄膜晶体管的另一侧。
像素还可以包括:补偿半导体层,包括补偿沟道区、补偿源区和补偿漏区;补偿栅电极,与补偿沟道区叠置,补偿源区和补偿漏区中的一个电连接到驱动源区和驱动漏区中的一个。
补偿栅电极可以包括位于补偿半导体层上方的第一补偿栅电极和第二补偿栅电极,第一补偿栅电极和第二补偿栅电极彼此分隔开,屏蔽层可以覆盖补偿半导体层的暴露在第一补偿栅电极和第二补偿栅电极之间的一个区域。
屏蔽层可以与补偿源区和补偿漏区中的另一个叠置。
补偿源区和补偿漏区中的所述一个可以不与屏蔽层叠置。
补偿源区和补偿漏区中的另一个可以电连接到第一电极层。
每个像素还可以包括分别连接到扫描线和数据线的开关栅电极和开关半导体层,其中,屏蔽层可以位于第一电极层、第二电极层和数据线的上方并且至少一个绝缘层设置在屏蔽层与第一电极层、第二电极层和数据线之间。
根据实施例的显示装置可以通过减小截止电流来防止寄生电容的发生并提供高质量的图像。如本领域普通技术人员所理解的,发明构思的范围不受该效果的限制。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的