[发明专利]一种涂层基材及其制备方法

权利要求书

1.一种涂层基材，其特征在于：所述涂层基材包括金属基材基底(0)，所述金属基材基底(0)由内向外依次为金属箔层(1)、氧化铟锡层(2)、氮化钛层(3)、第一氧化硅层(4)、二氧化钛层(5)、氮化锆钛层(6)、第二氧化硅层(7、和硅树脂聚合物层(8)。

2.根据权利要求1所述的涂层基材，其特征在于：所述金属箔层(1)的厚度为12～30nm，所述氧化铟锡层(2)的厚度为6～15nm，所述氮化钛层(3)的厚度为8～12nm，所述第一氧化硅层(4)的厚度为10～20nm。

3.根据权利要求2所述的涂层基材，其特征在于：所述二氧化钛层(5)的厚度为10～16nm，所述氮化锆钛层(6)的厚度为10～20nm，所述第二氧化硅层(7)的厚度为6～12nm，所述硅树脂聚合物层(8)的厚度为12～16nm。

4.根据权利要求3所述的涂层基材，其特征在于：所述金属基材基底(0)的材质为铁、铜或不锈钢。

5.权利要求1至4任一项所述的涂层基材的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)采用平衡或非平衡磁控溅射方式，镀膜设备置于洁净度十万级以内、湿度小于60％的洁净室内，设备冷却水温度在15～25℃；镀膜时本底真空要求：镀膜室真空度＜2.3×10^-3Pa、真空室真空度＜1Pa；

(2)金属基材基底经清洗机清洗后，依次通过进入室和隔离室，到达镀膜室，进入镀膜室后，关闭隔离室与镀膜室间的隔离阀，抽真空至本地真空，之后通入氩气和工艺气体维持真空度为1～2Pa；

(3)待镀膜室腔体内总气压稳定后，将金属基材基底正对溅射靶面，金属基材基底与靶面之间的距离保持在5～15cm，连续开启中频电源、直流电源和射频电源，依次在金属基材基底膜层；

(4)镀膜过程中基底传输速度保持平稳均匀，速度范围为0.6～2.8m/min，制得涂层基材。

6.根据权利要求5所述的涂层基材的制备方法，其特征在于：在步骤(2)和(3)中，镀制时工艺气体为氧气或氮气。

7.根据权利要求5所述的涂层基材的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，电源采用恒功率的范围为20～30kw或恒电流的范围为3～30A。