[发明专利]触摸屏的制造工艺

权利要求书

1.触摸屏的制造工艺，其特征在于，包括：

在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极；所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘，所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开；

在所述ITO薄膜上印刷多个绝缘桥；所述绝缘桥与所述Y电极的断开区域一一对应，所述绝缘桥位于所述Y电极的断开区域并连接该断开区域两侧的所述Y电极；

通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线；所述钼铝钼跳线与所述绝缘桥一一对应，所述钼铝钼跳线位于所述绝缘桥上并导通相应断开区域两侧的所述Y电极。

2.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条所述钼铝钼跳线的步骤包括：

在所述ITO薄膜上喷涂钼铝钼层；

在所述ITO薄膜上贴合第一干膜，所述第一干膜覆盖所述钼铝钼层；

根据所述钼铝钼跳线的形状对所述第一干膜进行紫外曝光，并对紫外曝光后的所述第一干膜进行显影，发生反应的第一干膜对所述钼铝钼层进行保护；

利用钼铝钼蚀刻液蚀刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层；

剥离发生反应的所述第一干膜。

3.根据权利要求2所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上喷涂所述钼铝钼层的温度为22～28℃，喷涂速度为3.2～3.8m/min，喷涂压力为0.36～0.42MPa。

4.根据权利要求3所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上贴合所述第一干膜的温度为108～112℃，滚贴速度为2.3～2.7m/min，滚贴压力为0.33～0.37MPa。

5.根据权利要求3所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，对所述第一干膜进行紫外曝光的紫外能量为75MJ/cm²，时间为5～7s。

6.根据权利要求3所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，所述第一干膜显影的速度为3.8～4.2m/min。

7.根据权利要求3所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层的速度为3.8～4.2m/min。

8.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上印刷多个所述绝缘桥的步骤包括：

在所述ITO薄膜上印刷感光型绝缘胶层，并对所述绝缘胶层进行预烤、紫外曝光、显影和固烤。

9.根据权利要求8所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上印刷所述感光型绝缘胶层的刮刀压力为28～32Kgf，刮刀速度为118～123mm/min，网版目数为500～550目，印刷厚度为2～3μm。

10.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，所述ITO薄膜包括PET基材和设于所述PET基材上表面的ITO涂层；在所述ITO薄膜上蚀刻出多条所述X电极和多条所述Y电极的步骤为：

对所述ITO薄膜进行缩水老化处理，直至所述PET基材和所述ITO涂层完全结晶；

在所述ITO薄膜上贴合第二干膜，所述第二干膜覆盖所述ITO涂层；

根据所述X电极和所述Y电极的形状对所述第二干膜进行紫外曝光，并对紫外曝光后的所述第二干膜进行显影，发生反应的第二干膜对所述ITO涂层进行保护；

利用蚀刻液蚀刻掉不受所述第二干膜保护的所述ITO涂层；

剥离发生反应的所述第二干膜。