[发明专利]一种像素驱动电路及OLED显示装置有效

专利信息
申请号: 201710156977.6 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN106782340B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 蔡玉莹 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3266 分类号: G09G3/3266;G09G3/3233
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 驱动 电路 oled 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管;

所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点,源极电性连接于第二节点,漏极电性连接于电源信号;

所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号,源极电性连接于第一参考电压信号,漏极电性连接于所述第一节点;

所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号,源极电性连接于所述第四薄膜晶体管的漏极,漏极电性连接于所述第二节点;

所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于数据信号,源极电性连接于第二参考电压信号;

所述电容的一端电性连接于第一节点,另一端电性连接于第二节点;

所述发光二极管的阳极电性连接于第二节点,所述发光二极管的阴极电性连接于接地端;

其中,所述第二参考电压信号提供的第二参考电压Vb满足如下公式:

Vb<VDATA1-Vth3

其中,VDATA1为所述数据信号提供的显示数据信号高电位,Vth3为所述第三薄膜晶体管的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一参考电压信号、所述第二参考电压信号为恒定低电压,所述电源信号为恒定高电压,所述数据信号、所述扫描信号相组合先后对应于阈值电压补偿阶段和发光阶段;

在所述阈值电压补偿阶段,所述数据信号为显示数据信号高电位,所述扫描信号为高电位;

在所述发光阶段,所述数据信号为低电位,所述扫描信号为低电位。

3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述数据信号和所述扫描信号通过外部时序控制器产生。

4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一参考电压信号为所述电源信号。

5.根据权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二参考电压信号为恒定低电压,所述电源信号、所述扫描信号、所述数据信号相组合先后对应于阈值电压补偿阶段和发光阶段;

在所述阈值电压补偿阶段,所述电源信号为参考低电位,所述数据信号为显示数据信号高电位,所述扫描信号为高电位;

在所述发光阶段,所述电源信号为高电位,所述数据信号为低电位,所述扫描信号为低电位。

6.根据权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述电源信号、所述数据信号和所述扫描信号通过外部时序控制器产生。

7.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,在发光阶段,所述第一薄膜晶体管的栅源极电压满足如下公式:

其中,Vgs为所述第一薄膜晶体管的栅源极电压,Vb为所述第二参考电压信号提供的第二参考电压,为所述第四薄膜晶体管的沟道的宽度长度比,为所述第一薄膜晶体管的沟道的宽度长度比,VDATA1为所述数据信号提供的显示数据信号高电位,Vth3为所述第三薄膜晶体管的阈值电压,Vth1为所述第一薄膜晶体管的阈值电压。

8.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。

9.一种OLED显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的像素驱动电路。

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