[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构

说明书

本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；在部分所述第一晶圆面上形成第一金属层；在所述第一晶圆面上形成第一环形挡墙结构，所述第一环形挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙；将所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。本发明形成的晶圆键合结构的晶圆键合效果得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构。

背景技术

封装技术是一种芯片打包技术，这种打包技术用于防止空气中的杂质使芯片电路发生腐蚀而造成的电学性能降低。此外，封装后的芯片还便于运输和安装。封装技术的水平高低直接影响到芯片的性能以及与之连接的印制电路板的设计和制造。

目前的封装技术已经从表面贴装技术、球栅阵列端子型封装技术(Ball GridArray，BGA)逐渐过渡到三维封装技术(3D Package)。三维封装技术分为封装叠层的三维封装技术、芯片叠层的三维封装技术以及晶圆叠层的三维封装技术等类型。三维封装技术的优点是能够提高互连线的密度，降低器件外形的总体高度。

然而，现有的封装技术存在晶圆键合效果不能满足半导体领域技术发展需求的问题。因此，如何提高晶圆键合效果，成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，改善晶圆键合的效果。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；在部分所述第一晶圆面上形成第一金属层；在所述第一晶圆面上形成第一环形挡墙结构，所述第一环形挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙，其中，所述第二环形挡墙位于所述第一环形挡墙包围的第一晶圆面上，且所述第一金属层位于所述第一环形挡墙与所述第二环形挡墙之间的第一晶圆面上；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙，其中，所述第四环形挡墙位于所述第三环形挡墙包围的第二晶圆面上，且所述第二金属层位于所述第三环形挡墙与所述第四环形挡墙之间的第二晶圆面上；将所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。

相应的，本发明还提供一种晶圆键合结构，其特征在于，包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；位于部分所述第一晶圆面上的第一金属层；位于所述第一晶圆面上的第一环形挡墙结构，所述第一挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙，其中，所述第二环形挡墙位于所述第一环形挡墙包围的第一晶圆面上，且所述第一金属层位于所述第一环形挡墙与所述第二环形挡墙之间的第一晶圆面上；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；位于部分所述第二晶圆面上的第二金属层；位于所述第二晶圆面上的第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙，其中，所述第四环形挡墙位于所述第三环形挡墙包围的第二晶圆面上，且所述第二金属层位于所述第三环形挡墙与所述第四环形挡墙之间的第二晶圆面上；其中，所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：