[发明专利]三维半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维半导体元件，包括：

一基板，包括一阵列区域和邻近该阵列区域的一阶梯区域，其中该阶梯区域包括N个梯级，N为大于或等于1的整数；

一叠层，具有多层结构叠置于该基板上，且该多层结构包括有源层与绝缘层交错设置于该基板上方，该叠层包括多个次叠层形成于该基板上，这些次叠层与该阶梯区域的该N个梯级对应设置以分别形成接触区域，各接触区域包含降落区域，在沿一第一方向上具有一第一宽度，其中于这些接触区域中各这些次叠层的一最上层有源层包括一金属硅化物层，在沿该第一方向上具有一第二宽度，其中第一宽度等于第二宽度；

多层结构连接器，分别位于对应的这些接触区域，且这些多层结构连接器系向下延伸以电性连接各个这些次叠层的该金属硅化物层；和

一介电层，形成于这些接触区域的这些次叠层上，且这些多层结构连接器系在该介电层中向下延伸，其中该介电层直接接触各个这些次叠层的该金属硅化物层，于这些接触区域中这些次叠层的这些金属硅化物层系做为这些次叠层的降落区域，且所有的这些降落区域除了被这些多层结构连接器接触的部分以外都被该介电层直接覆盖；

其中，于这些接触区域中这些次叠层的这些有源层的侧端包括金属硅化物部份。

2.一种三维半导体元件的制造方法，包括：

提供具有一阵列区域和邻近该阵列区域的一阶梯区域的一基板，其中该阶梯区域包括N个梯级，N为大于或等于1的整数；

形成具有多层结构的一叠层于该基板上，且该多层结构包括有源层与绝缘层交错设置于该基板上方，该叠层包括多个次叠层形成于该基板上，这些次叠层与该阶梯区域的该N个梯级对应设置以分别形成接触区域，各接触区域包含降落区域，在沿一第一方向上具有一第一宽度，其中于这些接触区域中各这些次叠层的一最上层有源层包括一金属硅化物层，在沿该第一方向上具有一第二宽度，其中第一宽度等于第二宽度；

形成多层结构连接器分别位于对应的这些接触区域，且这些多层结构连接器系向下延伸以电性连接各个这些次叠层的该金属硅化物层；和

形成一介电层于这些接触区域的这些次叠层上，且这些多层结构连接器系在该介电层中向下延伸，其中该介电层直接接触各个这些次叠层的该金属硅化物层，于这些接触区域中这些次叠层的这些金属硅化物层系做为这些次叠层的降落区域，且所有的这些降落区域除了被这些多层结构连接器接触的部分以外都被该介电层直接覆盖；

其中，于这些接触区域中这些次叠层的这些有源层的侧端包括金属硅化物部份。

3.根据权利要求2所述的方法，其中这些有源层的这些金属硅化物部份系与一介电层直接接触，该介电层形成于这些接触区域的这些次叠层上，且这些多层结构连接器系在该介电层中向下延伸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成各这些次叠层的该金属硅化物层包括：

形成这些次叠层于这些接触区域中，这些次叠层包括多晶硅层以做为这些有源层且与这些绝缘层交错设置于该基板上方；

移除这些接触区域中各这些次叠层的一最上层绝缘层；

沉积一金属层于这些接触区域中各这些次叠层的一最上层多晶硅层上；以及

对这些次叠层和该金属层进行热退火处理以于这些接触区域的各这些次叠层形成该金属硅化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该金属层亦沉积于这些次叠层的裸露侧壁上，在进行前述热退火处理后系于这些次叠层对应这些裸露侧壁的这些有源层的各个侧端形成一金属硅化物部份。