[发明专利]低温烧结高介电常数陶瓷材料及其制造方法

权利要求书

1.一种低温烧结高介电常数陶瓷材料的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：将Bi₂O₃、Ni₂O₃、ZnO、CuO、Nb₂O₅按摩尔比19：1：18：2：20配料，加入酒精混合球磨8-10小时，将浆料烘干；

步骤S2：将步骤S1得到的粉料于720-780℃条件下煅烧3-5小时，形成主晶相；

步骤S3：在煅烧后的粉料中加入0.5wt％的脂肪醇聚氧乙烯醚和酒精混合球磨20-30小时，并将浆料烘干；

步骤S4：将步骤3制备的粉料压制成型为坯体，并将坯体于950℃～1000℃下烧结，并保温4～6小时，随炉冷却得到所述种低温烧结高介电常数陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的低温烧结高介电常数陶瓷材料的制造方法，其特征在于，所述步骤S1、S3中，烘干工艺均采用红外烘干，烘干温度为60-80℃。

3.根据权利要求1所述的低温烧结高介电常数陶瓷材料的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，将浆料过滤后进行烘干，过滤筛网孔径为200-400目。

4.一种低温烧结高介电常数陶瓷材料，其特征在于，由权利要求1-3中任一项所述的低温烧结高介电常数陶瓷材料的制造方法制造得到。

5.根据权利要求4所述的低温烧结高介电常数陶瓷材料，其特征在于，所述低温烧结高介电常数陶瓷材料的介电常数ε_r在1MHz测试条件下为180-200，0℃条件下电容量温度系数为-27×10^-6/℃～-20×10^-6/℃。