[发明专利]光电子器件、有机功能层和用于制造光电子器件的方法在审
申请号: | 201710149636.6 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN107170907A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 阿恩特·耶格;冈特·施密德 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 张春水,丁永凡 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 有机 功能 用于 制造 方法 | ||
1.一种光电子器件,所述光电子器件包括:
-衬底(1),
-第一电极(2),
-第二电极(9),
-至少一个有机功能层,所述有机功能层设置在第一电极(2)和第二电极(9)之间,并且包括
-基体材料,
-第一化合物,和
-第二化合物,
其中所述第一化合物与所述第二化合物相互作用,并且
其中所述第一化合物和/或所述第二化合物与所述基体材料相互作用,并且
其中通过所述相互作用产生所述有机功能层的导电率,并且
其中所述第二化合物是关于所述基体材料的电子受体和/或关于所述第一化合物的电子供体。
2.根据权利要求1所述的光电子器件,
其中所述有机功能层选自:空穴传输层、空穴注入层和空穴阻挡层。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述第一化合物选自下列结构单元或式:
其中R1、R1’、R2x和R2x’彼此独立地选自:无枝化的、枝化的、缩合的、环状的、未取代的和取代的烷基残基、取代的和未取代的芳香烃、取代的和未取代的杂芳烃,其中x分别代表a、b、c或d,
其中R1、R2、R3和/或R4是相同的或不同的并且分别选自:取代或未取代的烃基残基、烷基残基、环烷基残基、杂环烷基残基、芳基残基、杂芳烃残基和它们的组合,并且
其中所述第二化合物选自:二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹恶啉-2,3,6,7,10,11-六腈、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、2,3-二(N-苯二甲酰)-5,6-二氰基-1,4-苯醌、吡嗪[2,3-f][1,10]菲啰啉-2,3-二腈和其氟化的或非氟化的衍生物和四氰基对苯二醌二甲烷和其氟化的或非氟化的衍生物。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述有机功能层的导电率大于由第一导电率和第二导电率组成的总和,所述第一导电率通过所述第一化合物与所述基体材料的唯一的相互作用产生,所述第二导电率通过所述第二化合物与所述基体材料的唯一的相互作用产生。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述第一化合物与所述第二化合物和所述第一化合物与所述基体材料和/或所述第二化合物与所述基体材料构成至少一个配位键。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述第一化合物是关于所述基体材料的电子受体和/或关于所述第二化合物的电子受体。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其通过同时从所述第一化合物、所述第二化合物和所述基体材料的不同的源进行蒸发来制造,其中第三化合物通过第一化合物和第二化合物在气相中的络合物形成产生。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述第一化合物包括具有至少一个金属中心原子的金属络合物。
9.根据上一项权利要求所述的光电子器件,其中所述第一化合物的所述金属中心原子选自Cu、Cr、Mo和Bi。
10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述第二化合物包括芳香烃和/或杂芳烃,所述芳香烃和/或杂芳烃具有至少两个功能基团,所述功能基团有能力构成配位键和/或π-π相互作用。
11.根据上一项权利要求所述的光电子器件,其中所述功能基团选自:胺、磷化氢、苯酚、硫醇、氰基、异氰基、氰酸基、硝酸基、羧酸基、氟化的羧酸基、乙酰丙酮酸盐、氟化的乙酰丙酮盐、羰基、酰胺、酰亚胺、噻吩、氟和它们的组合。
12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件,其中所述第一化合物与所述第二化合物构成至少一个配位键,使得产生链状的结构和/或网状的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择