[发明专利]晶圆承载装置有效
申请号: | 201710147409.X | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107195579B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 黄彦纶;孙健仁;施英汝;徐文庆 | 申请(专利权)人: | 环球晶圆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;许荣文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
1.一种晶圆承载装置,供多个晶圆置放,每一晶圆之顶部周缘经倒角处理而形成一倒角部,其特征在于,该晶圆承载装置包含:
一盘体,可绕其中心轴线旋转且包括一上表面,以及一沿该中心轴线方向相反于该上表面的下表面;以及
多个容置机构,自该盘体之上表面凹陷而成,每一容置机构包括一形成于该盘体之上表面的开口、一自该开口朝向该盘体之下表面延伸的侧壁面,以及一连接该侧壁面以与该侧壁面共同界定出一容置槽的底壁面,该容置槽供晶圆自该开口放入;
其中,定义一垂直通过对应之底壁面中心的第一轴线,每一容置机构的侧壁面具有
一上区段,自对应之开口向下延伸至一第一转折部,
一倾斜段,自该第一转折部朝远离该第一轴线之方向斜向下延伸至一第二转折部且面朝晶圆的倒角部,该第二转折部不高于晶圆之顶表面,以及
一下区段,邻近对应之底壁面且自该底壁面之周缘向上延伸至水平对齐于该第二转折部之位置,该下区段具有一远离该盘体之中心轴线的抵靠部,当该盘体绕该中心轴线旋转时,晶圆抵靠该下区段之抵靠部;
该抵靠部自水平对齐于该第二转折部之位置被向下挖空而形成一缺口,以使该下区段形成一高于对应之底壁面的凹部。
2.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于:每一晶圆之周缘经切削而形成一定向平面,每一容置机构之容置槽的横切面对应晶圆之形状,且该容置机构的下区段形成一抵贴部,定义一条该盘体的与该中心轴线垂直的横剖面与该定向平面相交的假想线,该抵贴部沿着该假想线之宽度不小于晶圆之定向平面之宽度,当该盘体绕该中心轴线旋转时,晶圆的定向平面抵贴该抵贴部。
3.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于:每一容置机构的倾斜段与水平线之夹角不小于晶圆之倒角部与水平线之夹角且小于九十度。
4.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于:每一容置机构的倾斜段与水平线之夹角等于晶圆之倒角部与水平线之夹角。
5.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于:每一容置机构的倾斜段与水平线之夹角不大于晶圆之倒角部与水平线之夹角加上三十度。
6.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于:每一容置机构的倾斜段与晶圆的倒角部之间距不小于10微米。
7.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于:每一容置机构的下区段的凹部具有一自该凹部底端朝向该第一轴线延伸的阶梯部,该阶梯部之宽度不小于10微米。
8.如权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于:自每一容置机构的底壁面垂直延伸至对应之阶梯部的高度是晶圆之厚度的二分之一以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造