[发明专利]被加工物的内部检测装置和内部检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及被加工物的内部检测装置和内部检测方法，对因向被加工物例如硅晶片等的内部照射激光光线而形成的改质层等加工痕进行检测。

背景技术

通过切割装置将由分割预定线划分并在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件并应用在移动电话、个人计算机等电子设备中。

并且，作为将由分割预定线划分并在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件的技术，除了使用上述的切割装置之外，申请人提出了如下技术：将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在晶片的内部而进行照射，沿着分割预定线形成改质层，之后，施加外力而将晶片分割成各个器件(例如，参照专利文献1。)，进而，还提出了如下方案：对会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径进行适当地设定，沿着分割预定线照射由聚光透镜会聚的脉冲激光光线而使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质在位于单晶基板的聚光点与脉冲激光光线所入射的一侧之间成长，从而形成所谓的盾构隧道，施加外力将晶片分割成各个器件的技术(例如，参照专利文献2。)。

上述那样的将晶片分割成各个器件的技术日新月异，特别是在照射激光光线而在单晶基板的内部形成上述的改质层、盾构隧道等加工痕并施加外力将晶片分割成各个器件的情况下，照射该激光光线的各种条件例如输出、重复频率、由聚光透镜设定的数值孔径、聚光点位置等的变化会对形成在晶片的内部的加工痕的形成带来影响。因此，为了提高加工效率及产品品质，需要认真研究激光光线的照射条件的变更对加工痕的形成带来怎样的影响。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

专利文献2：日本特开2014-221483号公报

如果是使用切削刀具来切削晶片的切割装置，则在加工中途也能够容易地从外部对由切削刀具形成的切入深度等加工状态进行检测，但在使用了照射激光光线而在晶片的内部形成改质层、盾构隧道等的加工方法的情况下，由于很难从外部准确地把握形成在内部的加工痕的尺寸或形状等，所以在实施了激光加工之后，沿着加工痕施加外力而对晶片进行实际分割，对该分割面进行观察而对通过激光光线形成的状态进行把握。

然而，在将晶片分割成各个器件之后对分割面进行观察的情况下，由于形成在内部的加工痕会被破坏，所以不能对破坏前的加工痕的状态例如所形成的改质层的高度等进行严密地观察。并且，对照射激光光线时的各种条件进行变更而形成改质层、盾构隧道等，沿着分割预定线施加外力而进行分割，之后，即使想要对该分割面进行观察，也存在如下问题：当所形成的改质层或盾构隧道不充分时，无法按照预想的那样分割晶片，即使对分割面进行观察也未必能够对形成在内部的改质层等加工痕进行准确地检验。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供被加工物的内部的检测方法和检测装置，不用对晶片进行实际分割便能够对因向被加工物照射激光光线而形成在内部的加工痕进行检测。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供被加工物的内部检测装置，其对因向被加工物照射激光光线而形成在内部的加工痕进行检测，其中，该被加工物的内部检测装置至少包含：保持构件，其对被加工物进行保持；照明构件，其向该被加工物照射具备对于该被加工物具有透过性的波长的光；拍摄构件，其对该被加工物进行拍摄；以及反射镜，其与该被加工物的侧面对置地配设，将来自该侧面的光反射而引导到该拍摄构件。

并且，根据本发明，提供被加工物的内部检测方法，对因向被加工物照射激光光线而形成在内部的加工痕进行检测，其中，该被加工物的内部检测方法包含如下的工序：保持工序，将被加工物保持在保持构件上；照明工序，向该被加工物照射具备对于该被加工物具有透过性的波长的光；反射镜定位工序，将反射镜定位在与该保持构件所保持的该被加工物的侧面对置的位置，将来自该侧面的光反射而引导到拍摄构件；以及加工痕检测工序，利用该拍摄构件对该被加工物的侧面进行拍摄，对形成在该被加工物的内部的该加工痕进行检测。

优选该被加工物的内部检测方法还包含如下的平坦化工序：当在该被加工物的内部形成该加工痕之前或形成了该加工痕之后，在该侧面形成用于检测该加工痕的平坦部。