[发明专利]一种类单晶籽晶的加工方法

权利要求书

1.一种类单晶籽晶的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）拉制单晶晶棒，用单晶开方机对其去除头部、尾部、侧部区域，使单晶晶棒形成单晶方棒；

（2）将单晶方棒的部分籽晶水平切割成100面籽晶，部分籽晶切割成110面籽晶，并分别加以标识，100面与110面是两种不同晶向的单晶籽晶；

（3）用斜角机分别对两种籽晶边部进行斜切，斜切后的单晶籽晶为两种梯形结构，分为I类籽晶、II类籽晶；

（4）坩埚内铺设I类籽晶、II类籽晶，使斜切后的两种籽晶可以互相贴合成一较为平整的平面，从而对坩埚底部没有冲击；

（5）坩埚内的籽晶上面正常铺设硅料开始铸锭，铸锭过程中通过半熔工艺保籽晶，使得工艺过程中硅液从上往下熔化时，可以有效抑制底部氮化硅粉或偶然产生的多晶引晶，从而达到减少晶锭整体位错增殖的目的，对底部籽晶形成保护，最终铸锭成类单晶锭。

2.根据权利要求1所述的一种类单晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述单晶晶棒尺寸大于或等于8寸，形成的单晶方棒大于或等于140*140*20mm。

3.根据权利要求1所述的一种类单晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述斜切角度为30-60°，所得I类籽晶尺寸大于或等于120*80*20mm，II类籽晶尺寸大于或等于120*120*20mm。

4.根据权利要求1所述的一种类单晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述坩埚内铺设I类籽晶、II类籽晶为将I类籽晶共7块铺设于坩埚一侧，II类籽晶共42块铺设于坩埚另一侧，两种籽晶形成7*7阵列共49块互成30º-60º夹角贴合于坩埚底部中央位置做为类单晶晶锭引晶源，铺设完成的籽晶与坩埚侧壁之间留有1mm-15mm的间隙。

5.根据权利要求1所述的一种类单晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述半熔工艺保籽晶的平均长晶速度控制在0.8-1.2cm/h。