[发明专利]光学探测器及其制备方法、指纹识别传感器、显示装置有效
申请号: | 201710144824.X | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN108573983B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 孙建明;宁策;张文林 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82;G06K9/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 探测器 及其 制备 方法 指纹识别 传感器 显示装置 | ||
1.一种光学探测器,其特征在于,包括:依次层叠设置的第一电极、光电转换层、第二电极、第一绝缘层和第三电极的层叠结构;所述光学探测器还包括:有源层、栅绝缘层和栅极;
所述有源层与所述第一电极和所述第二电极的其中一个连接,所述有源层还与第三电极连接;所述第一电极、所述光电转换层和所述第二电极形成光电转换单元;与所述有源层连接的所述第一电极或所述第二电极、所述第三电极分别作为开关管的源极和漏极;
所述栅绝缘层设置在所述有源层上;
所述栅极设置在所述栅绝缘层上;
所述有源层与所述第一电极和所述第三电极电连接;
所述光学探测器还包括:
第二绝缘层,设置在所述有源层和所述光电转换层、所述第二电极之间;所述第二绝缘层设置在所述光电转换层的侧壁和所述第二电极的侧壁上;所述有源层形成在所述第一电极的上表面边缘区域、所述第二绝缘层和所述第三电极上;
或者,所述有源层与所述第二电极和所述第三电极电连接,所述有源层形成在所述第二电极的侧壁、所述第一绝缘层的侧壁和所述第三电极上。
2.根据权利要求1所述的光学探测器,其特征在于,在所述层叠结构的相对两侧均设置有所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极。
3.一种光学探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,在衬底上制备依次层叠设置的第一电极、光电转换层、第二电极、第一绝缘层和第三电极;
S2,制备有源层,所述有源层与所述第一电极和所述第三电极电连接且与所述光电转换层和所述第二电极绝缘设置;所述第一电极、所述光电转换层和所述第二电极形成光电转换单元;所述第一电极和所述第三电极分别形成开关管的源极和漏极;
S3,在所述有源层上制备栅绝缘层;
S4,在所述栅绝缘层上制备栅极。
4.根据权利要求3所述的光学探测器的制备方法,其特征在于,步骤S2包括:
在所述光电转换层的侧壁和所述第二电极的侧壁上形成第二绝缘层;
在所述第一电极的上表面边缘区域、所述第二绝缘层和所述第三电极上形成所述有源层。
5.根据权利要求3所述的光学探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S1包括:
在所述衬底上形成第三电极材料层、第一绝缘层材料层、第二电极材料层、光电转换材料层和第一电极材料层,采用一次构图工艺形成所述第三电极、第一绝缘层、第二电极、光电转换层和第一电极。
6.一种光学探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,在衬底上制备依次层叠设置的第一电极、光电转换层、第二电极、第一绝缘层和第三电极;
S2,制备有源层,所述有源层与所述第二电极和所述第三电极电连接且与所述光电转换层和所述第一电极绝缘设置;所述第一电极、所述光电转换层和所述第二电极形成光电转换单元;所述第二电极和所述第三电极分别形成开关管的源极和漏极;
S3,在所述有源层上制备栅绝缘层;
S4,在所述栅绝缘层上制备栅极。
7.根据权利要求6所述的光学探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
在所述第二电极的侧壁、所述第一绝缘层的侧壁和所述第三电极上形成所述有源层。
8.根据权利要求6所述的光学探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S1包括:
在所述衬底上形成第三电极材料层、第一绝缘层材料层、第二电极材料层、光电转换材料层和第一电极材料层,采用一次构图工艺形成所述第三电极、第一绝缘层、第二电极、光电转换层和第一电极。
9.一种指纹识别传感器,其特征在于,包括权利要求1-2任意一项所述的光学探测器。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的指纹识别传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的