[发明专利]一种具有近场通信功能的芯片在审

专利信息
申请号: 201710144496.3 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN106941366A 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 李科奕;张小东;侯斌 申请(专利权)人: 臻讯半导体科技(上海)有限公司
主分类号: H04B5/00 分类号: H04B5/00;H04B5/02;G06K19/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200120 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 近场 通信 功能 芯片
【权利要求书】:

1.一种具有近场通信功能的芯片,其特征在于,包括依次电连接的信号输入电路、滤波电路、信号放大电路、信号转换电路、近场通信信号处理电路和信号发射电路;其中,所述信号输入电路,其用于接收输入设备的输入信号;所述滤波电路,用于对外部输入信号进行滤波处理;所述信号放大电路,用于对滤波后的输入信号进行信号放大处理;所述信号转换电路,用于将输入信号转换为对应的外部接收设备可识别的接收信号;所述近场通信信号处理电路,用于将所述接收信号调制为NFC 信号;所述信号发射电路,其用于将所述NFC 信号发射给外部接收设备。

2.如权利要求1所述的一种具有近场通信功能的芯片,其特征在于,所述信号输入电路主要包括电阻R1、电阻R2、P 沟道MOS 管Q1、N沟道MOS 管Q2和三极管Q3;所述电阻R1与P 沟道MOS 管Q1串接作为第一支路,电阻R2与N沟道MOS 管Q2串接作为第二支路;所述第一支路与第二支路并联,所述三极管Q3与并联的第一支路、第二支路串联;其中,所述电阻R1与P 沟道MOS 管Q1之间设有二极管D1,所述电阻R2与N沟道MOS 管Q2之间设有二极管D2;其中,所述P 沟道MOS 管Q1的基极与所述N沟道MOS 管Q2的基极直接设置有电阻R6。

3.如权利要求1所述的一种具有近场通信功能的芯片,其特征在于,所述信号转换电路包括由串接连接的第一稳压二极管(1)、第一电阻(2)和第二稳压二极管(2)构成的直流降压单元,所述直流降压单元的一端与电源正极端连接,另一端与第一二极管(4)的负极连接,所述第一二极管(4)的正极端通过第二电阻(5)与光耦(7)的输入端正极端连接,所述光耦(7)的输入端负极端通过第三电阻(12)与第二二极管(11)的正极端连接,所述第二二极管(11)的负极端通过第一电容(9)与所述第一二极管(4)的负极端连接;所述光耦(7)的输入端的正极端与负极端之间设置有第四电阻(6);所述光耦(7)的输出端的正极端与负极端之间设置有第二电容(8)。

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