[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，该阵列基板的制造方法包括：在衬底上形成多晶硅层，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层；以及利用一次构图工艺，在所述第一区域形成第一有源层，在所述第二区域形成第二有源层，其中，所述第一有源层由所述多晶硅层构成，所述第二有源层由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成。

技术领域

本发明涉及阵列基板的制造方法及阵列基板。

背景技术

在显示面板的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)阵列基板的制造中，LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide：低温多晶氧化物)工艺是一种同时利用低温多晶硅(LTPS)工艺和氧化物(Oxide)工艺制造TFT阵列基板的新技术。

发明内容

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够简化工序且提高生产量的阵列基板的制造方法及阵列基板。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅层，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层；以及利用一次构图工艺，在所述第一区域形成第一有源层，在所述第二区域形成第二有源层，其中，所述第一有源层由所述多晶硅层构成，所述第二有源层由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成。

例如，执行所述构图工艺的步骤包括以下步骤：第一步骤，利用一个掩模，在所述第一区域形成第一保护层，在所述第二区域形成第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度小于所述第二保护层的厚度；第二步骤，对所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述氧化物半导体层和所述多晶硅层执行蚀刻；第三步骤，去除所述第一保护层的全部和所述第二保护层的一部分，暴露所述第一保护层下方的所述氧化物半导体层；第四步骤，对所暴露出的所述氧化物半导体层执行蚀刻，形成由所述多晶硅层构成的所述第一有源层；以及第五步骤，去除所述第二保护层的剩余部分，形成由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成所述第二有源层。

例如，还包括：在执行所述构图工艺之前，在所述氧化物半导体层上形成钝化层的步骤，所述构图工艺包括：第一步骤，利用一个掩模，在所述第一区域形成第一保护层，在所述第二区域形成第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度小于所述第二保护层的厚度；第二步骤，对所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述钝化层、所述氧化物半导体层和所述多晶硅层执行蚀刻；第三步骤，去除所述第一保护层的全部和所述第二保护层的一部分，暴露所述第一保护层下方的所述钝化层；第四步骤，对所暴露出的所述钝化层及其下方的所述氧化物半导体层执行蚀刻，形成由所述多晶硅层构成的所述第一有源层；以及第五步骤，去除所述第二保护层的剩余部分，形成由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成所述第二有源层，并保留所述第二有源层上的所述钝化层。

例如，所述第二步骤和所述第四步骤中的蚀刻为干法蚀刻。

例如，在所述第二步骤中，按照湿法蚀刻、干法蚀刻的顺序，依次去除所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述氧化物半导体层和所述多晶硅层，在所述第四步骤中，通过湿法蚀刻来去除所暴露出的所述氧化物半导体层。

例如，在所述第二步骤中，按照干法蚀刻、湿法蚀刻、干法蚀刻的顺序，依次去除所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述钝化层、所述氧化物半导体层和所述多晶硅层。

例如，在所述第四步骤中，通过干法蚀刻、湿法蚀刻，依次去除所暴露出的所述钝化层及其下方的所述氧化物半导体层。

例如，所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。