[发明专利]半导体基片处理微腔室机械支撑装置有效

专利信息
申请号: 201710142347.3 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN108573908B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 温子瑛;王吉;王致凯 申请(专利权)人: 无锡华瑛微电子技术有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687
代理公司: 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 代理人: 倪歆晨
地址: 214135 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 处理 微腔室 机械 支撑 装置
【权利要求书】:

1.半导体基片处理微腔室机械支撑装置,包括:第一支撑单元、可移动单元、第二支撑单元、第三支撑单元及多根支柱;其特征在于:

所述第一支撑单元包括:水平设置的第一支撑板,及固定设置在第一支撑板上方的支撑环;

所述可移动单元通过所述第一支撑单元支撑,包括:

驱动装置;

移动座:所述移动座呈圆柱状,移动座的上部和下部分别设有环状的上凹环及下凹环,所述移动座的下凹环与所述支撑环互相可滑动地套合,形成一个套合空间,所述驱动装置设置在所述套合空间内,且分别与所述移动座的下方以及第一支撑板的上方固定连接;所述移动座、支撑环、以及移动座的上凹环和下凹环的圆心同轴;

以及下腔室:所述下腔室设置在移动座的上凹环内;

所述第二支撑单元包括:水平设置的第二支撑板,所述第二支撑板与第一支撑板之间通过所述多根支柱固定连接;

及上腔室,所述上腔室通过开设在第二支撑板上的穿孔定位且由第二支撑板支撑,所述上腔室的位置与下腔室对应,两者结构上经过合理设计,上腔室与下腔室接触时形成处理半导体晶圆的微处理腔;

所述第三支撑单元经结构设计以施加压力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室,包括:第三支撑板,所述第三支撑板通过所述多根支柱固定连接,且具有施加压力至所述上腔室的多个螺钉、加强结构或可移动零件。

2.根据权利要求1所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述第一支撑单元还包括多个第一支撑梁,所述第二支撑单元还包括多个第二支撑梁,所述第三支撑单元还包括多个第三支撑梁。

3.根据权利要求2所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述支撑环通过所述多个第一支撑梁固定设置在第一支撑板上。

4.根据权利要求2所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述第一支撑板、第二支撑板、第三支撑板分别通过第一支撑梁、第二支撑梁、第三支撑梁与所述多根支柱固定连接。

5.根据权利要求2所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述半导体基片处理微腔室机械支撑装置还设有外壳板,所述第一支撑梁和第三支撑梁对称设有凹槽,使得外壳板能够插入且固定于凹槽中。

6.根据权利要求1所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述移动座的上凹环的底部设有漏液槽。

7.根据权利要求6所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述漏液槽中设有漏液检测机构。

8.根据权利要求1-7之一所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述支撑环上表面设有环形防护槽,所述环形防护槽与移动座同轴,且环形防护槽的外径大于移动座的外径。

9.根据权利要求8所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述移动座的下凹环的内壁套合在支撑环上环形防护槽的内径壁外。

10.根据权利要求8所述的半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述支撑环的内壁套合在所述移动座的下凹环的外壁外侧,所述移动座的外壁还设有环形导流沿,所述导流沿高于所述支撑环的上表面;环形防护槽内径小于所述导流沿外径,环形防护槽外径大于所述导流沿外径。

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