[发明专利]一种阵列基板,阵列基板的像素电极充电方法和显示装置有效
申请号: | 201710141689.3 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107068690B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 刘冬妮;陈小川;杨盛际;王磊;岳晗;付杰;卢鹏程;方正;肖丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 像素 电极 充电 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
多根栅极扫描线、多根数据扫描线,多个像素结构,每个像素结构包括:一像素电极,与每个像素电极连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与相邻的两根栅极扫描线连接;属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管与相邻的数据扫描线连接;
当对栅极扫描线输入信号电压时,与该栅极扫描线连接的多个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管被导通,数据扫描线分别通过被导通的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,对相应的像素电极充电。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管与同一数据扫描线连接。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,行相邻的两个像素结构的第一薄膜晶体管分别与相邻的数据扫描线连接,行相邻的两个像素结构的第二薄膜晶体管分别与相邻的数据扫描线连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,列相邻的两个像素结构的第一薄膜晶体管与同一数据扫描线连接,列相邻的两个像素结构的第二薄膜晶体管与同一数据扫描线连接。
5.一种阵列基板的像素电极充电方法,其特征在于,所述阵列基板包括:多根栅极扫描线、多根数据扫描线,多个像素结构,每个像素结构包括:一像素电极,与每个像素电极连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与相邻的两根栅极扫描线连接;
所述的方法包括:
逐根对所述栅极扫描线输入信号电压,与栅极扫描线连接的多个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管被导通;
对所述数据扫描线输入充电电压;
通过与所述数据扫描线连接且导通的各个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管,基于所述充电电压,对相应的像素电极充电;
属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,与相邻的数据扫描线相连接;
所述对所述数据扫描线输入充电电压的步骤包括:
在每个信号电压持续时间内,对相邻的数据扫描线输入极性相同的充电电压。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,与同一数据扫描线相连接;
所述对所述数据扫描线输入充电电压的步骤包括:
在每个信号电压持续时间内,对相邻的数据扫描线输入极性相同的充电电压。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,与同一数据扫描线相连接;
所述对所述数据扫描线输入充电电压的步骤包括:
在每个信号电压持续时间内,对相邻的数据扫描线输入极性相反的充电电压。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,与相邻的数据扫描线相连接;
所述对所述数据扫描线输入充电电压的步骤包括:
在每个信号电压持续时间内,对相邻的数据扫描线输入极性相反的充电电压;在相邻的信号电压持续时间之间,同一数据扫描线的充电电压极性相反。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的