[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一互连结构，所述第一介质层暴露出所述第一互连结构的顶部表面；所述第一互连结构与所述第一介质层接触的边缘区域的顶部表面低于所述第一互连结构中间区域的顶部表面；

采用原子层沉积工艺在所述第一介质层和第一互连结构的顶部表面形成第一停止层；

在所述第一停止层的顶部表面形成粘附层；所述粘附层的形成工艺包括：原子层沉积工艺；

采用物理气相沉积工艺在所述粘附层的顶部表面形成第二停止层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和第一互连结构的形成步骤包括：在所述基底上形成第一介质膜；去除部分所述第一介质膜形成第一介质层，所述第一介质层具有第一介质开口；在所述第一介质开口内形成第一互连结构。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一互连结构的形成步骤包括：在所述第一介质开口内以及第一介质层上形成金属层；平坦化所述金属层直至暴露出所述第一介质层的顶部表面，形成第一互连结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括：铜；平坦化所述金属层的工艺包括：化学机械研磨工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一互连结构的顶部表面具有氧化层；去除所述氧化层的工艺包括：等离子体工艺或者紫外线处理工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，所述等离子体工艺的参数包括：反应气体为氨气和氮气，所述氨气的流量为500标准毫升/分钟～1500标准毫升/分钟，所述氮气的流量为5000标准毫升/分钟～15000标准毫升/分钟，射频功率为500瓦～1500瓦，时间为5秒～20秒。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一停止层的材料包括：氮化铝。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺包括前驱体吸附工艺和所述前驱体吸附工艺之后的等离子体处理工艺；所述前驱体吸附工艺的参数包括：反应液体包括三甲基铝液体，所述反应液体的流量为100毫克每分钟～1000毫克每分钟，氦气的流量为200标准毫升/分钟～1000标准毫升/分钟，温度为250摄氏度～400摄氏度，反应腔室的压强为2托～15托；所述等离子体处理工艺参数包括：反应物包括氨气和氮气，氨气的流量为250标准毫升/分钟～1000标准毫升/分钟，氮气的流量为500标准毫升/分钟～2000标准毫升/分钟，射频功率为250瓦～1000瓦，温度为250摄氏度～400摄氏度，压强为2托～15托。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一停止层的厚度为：5埃～15埃。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层的材料包括：氧化铝。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述粘附层的原子层沉积工艺包括：前驱体吸附工艺和所述前驱体吸附工艺之后的等离子体处理工艺；所述前驱体吸附工艺的参数包括：反应液体包括三甲基铝液体，所述反应液体的流量为100毫克每分钟～1000毫克每分钟，氦气的流量为200标准毫升/分钟～1000标准毫升/分钟，温度为250摄氏度～400摄氏度，反应腔室的压强为2托～15托；所述等离子体处理工艺参数包括：反应物包括水和氨气，水的流量为250毫克每分钟～1000毫克每分钟，氦气的流量为500标准毫升/分钟～2000标准毫升/分钟，射频功率为250瓦～1000瓦，温度为250摄氏度～400摄氏度，压强为2托～15托。