[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201710140999.3 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107195621B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 脇岡宽之 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
实施方式提供一种能够抑制半导体芯片翘曲的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备衬底、第1半导体芯片、第1树脂部件、第2半导体芯片及第2树脂部件。第1半导体芯片设置在衬底的上方。第1树脂部件覆盖第1半导体芯片。第2半导体芯片设置在树脂部件之上,在隔着树脂部件与第1半导体芯片对向的部分具有凹部。第2树脂部件密封第2半导体芯片。
[相关申请]
本申请享有以日本专利申请2016-50171号(申请日:2016年3月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。
背景技术
作为半导体装置的构造的一例,有如下构造,即,将控制芯片嵌入在树脂部件之中,在该树脂部件之上积层多个半导体存储芯片。各半导体存储芯片被控制芯片控制。
在所述构造中,树脂部件易因控制芯片的厚度而变形成凸状,且因该变形,半导体存储芯片易翘曲成凸状。因此,在密封半导体存储芯片的模具树脂的凸状部分,厚度有可能形成得比其它部分薄。如果模具树脂薄,那么例如当利用激光在该模具树脂上标记产品名等时,模具树脂之下的半导体存储芯片容易受损。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够抑制半导体芯片翘曲的半导体装置及其制造方法。
本实施方式的半导体装置具备衬底、第1半导体芯片、第1树脂部件、第2半导体芯片及第2树脂部件。第1半导体芯片设置在衬底的上方。第1树脂部件覆盖第1半导体芯片。第2半导体芯片设置在树脂部件之上,在隔着树脂部件与第1半导体芯片对向的部分具有凹部。第2树脂部件密封第2半导体芯片。
附图说明
图1是表示本实施方式的半导体装置的概略构成的侧视图。
图2是表示积层芯片的概略构造的侧视图。
图3是表示设置在第2半导体芯片的凹部与第1半导体芯片20的位置关系的俯视图。
图4(A)~(E)是说明形成第2半导体芯片之前的步骤的步骤图。
图5是说明第2半导体芯片形成后的步骤的步骤图。
图6是表示比较例的半导体装置的概略构成的侧视图。
图7是说明比较例的半导体装置的制造步骤的步骤图。
图8(A)~(B)是说明变化例中的凹部的形成方法的步骤图。
具体实施方式
以下,参照附图来说明本发明的实施方式。本实施方式并不限定本发明。
首先,对本实施方式的半导体装置的构成进行说明。图1是表示本实施方式的半导体装置的概略构成的侧视图。如图1所示,本实施方式的半导体装置1具备衬底10、第1半导体芯片20、第1树脂部件30、积层芯片40及第2树脂部件50。
在衬底10上设置将第1半导体芯片20与积层芯片40电连接的配线(未图示)、或将第1半导体芯片20电连接在外部衬底的连接端子(未图示)。半导体装置1具备将第1半导体芯片20与衬底10之间以及积层芯片40与衬底10之间电连接的连接部件(未图示)。连接部件使用例如利用金或铜的金属线。
利用粘接剂60将第1半导体芯片20粘接在衬底10上。在本实施方式中,第1半导体芯片20为具有控制积层芯片40的集成电路的控制芯片。
第1树脂部件30覆盖第1半导体芯片20。另外,第1树脂部件30还覆盖将第1半导体芯片20与衬底10之间连接的连接部件。该第1树脂部件30例如由聚酰亚胺树脂等热硬化性树脂构成。
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