[发明专利]一种p-i-n型硒化锑太阳电池

权利要求书

1.一种p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，该太阳电池从上到下的主要结构依次为顶电极层、p型硒化锑半导体层、本征半导体i型层、n型硒化锑半导体层以及底电极层。

2.根据权利要求1所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，所述本征半导体i型层是由完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体材料制备而成的材料层。

3.根据权利要求1或2所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，所述p型硒化锑半导体层为硒化锑或掺杂了硫元素的硒化锑制备而成的材料层；当掺杂了硫元素时，所述硒元素和硫元素的摩尔比为0.1:0.9~0.7:0.3。

4.根据权利要求1或2所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，所述n型硒化锑半导体层为硒化锑或掺杂了Cu、Ag、Bi金属或碲非金属的硒化锑制备而成的材料层。

5.根据权利要求1或2所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，所述顶电极层是由透明导电氧化物薄膜、透明导电金属薄膜、非氧化物类透明导电化合物薄膜、导电性粒子分散介电体薄膜或导电碳材料薄膜中的任意一种。

6.根据权利要求1或2所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，所述底电极层是由透明导电氧化物薄膜、金属薄膜、非氧化物类透明导电化合物薄膜、导电性粒子分散介电体薄膜或导电碳材料薄膜中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，该太阳电池的结构中还包括由玻璃、不锈钢或塑料制备而成的衬底，所述衬底设置在所述顶电极层上或底电极层下；当设置在顶电极层上时，所述衬底由透光材料制备而成。

8.根据权利要求1所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，在顶电极层和p型硒化锑半导体层之间还设有空穴传输层，所述空穴传输层是由无机化合物或P3HT、PCBM有机空穴传输材料中的至少一种制备而成。

9.根据权利要求1所述的p-i-n型硒化锑太阳电池，其特征在于，在n型硒化锑半导体层和底电极层之间设置有电子传输层；所述电子传输层为ZnO、TiO₂、石墨烯无机化合物或PCBM、全氟代聚对苯撑类有机电子传输材料中的至少一种制备而成。