[发明专利]存储器设备

权利要求书

1.一种存储器设备，其特征在于具备：

第一存储器，包含：第一存储单元，设置在半导体层上方的第一半导体部上；第二存储单元，设置在所述半导体层与所述第一半导体部之间的第二半导体部上；第一选择晶体管，在所述第一存储单元上方设置在所述第一半导体部上；第二选择晶体管，在所述第二存储单元下方设置在所述第二半导体部上；及第三选择晶体管，在所述第一及第二半导体部的交界区域设置在所述第一或第二半导体部上；

第二存储器，包含：第三存储单元，设置在所述半导体层上方的第三半导体部上；第四存储单元，设置在所述半导体层与所述第三半导体部之间的第四半导体部上；第四选择晶体管，在所述第三存储单元上方设置在所述第三半导体部上；第五选择晶体管，在所述第四存储单元下方设置在所述第四半导体部上；及第六选择晶体管，在所述第三及第四半导体部的交界区域设置在所述第三或第四半导体部上；

第一字线，连接于所述第一及第三存储单元；

第二字线，连接于所述第二及第四存储单元；

第一选择栅极线，连接于所述第一选择晶体管；

第二选择栅极线，连接于所述第二选择晶体管；

第三选择栅极线，连接于所述第三选择晶体管；

第四选择栅极线，连接于所述第四选择晶体管；

第五选择栅极线，连接于所述第五选择晶体管；及

第六选择栅极线，连接于所述第六选择晶体管；

在与所述第一存储单元的阈值电压相关的第一判定动作时，

在所述第一判定动作的第一期间，

对所述第一、第二、第三及第四选择栅极线施加第一电压，所述第一电压用于使所述第一至第六选择晶体管接通，

对所述第五及第六选择栅极线施加第二电压，所述第二电压用于使所述第一至第六选择晶体管断开，

在所述第一期间后的第二期间，

对所述第四、第五及第六选择栅极线施加所述第二电压，

对所述第一字线施加第一判定电压，判定所述第一存储单元的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于：

在与所述第二存储单元的阈值电压相关的第二判定动作时，

在所述第二判定动作的第三期间，

对所述第一、第二、第三及第五选择栅极线施加所述第一电压，

对所述第四及第六选择栅极线施加所述第二电压，

在所述第三期间后的第四期间，

对所述第四、第五及第六选择栅极线施加所述第二电压，

对所述第二字线施加第二判定电压，判定所述第二存储单元的阈值电压。

3.根据权利要求1或2所述的存储器设备，其特征在于：

在所述第一期间内，对所述第一字线施加所述第一判定电压以上的第三电压，

在所述第二期间内，对所述第一字线施加所述第一判定电压。

4.根据权利要求1或2所述的存储器设备，其特征在于：

在所述第一期间内，对所述第二字线施加所述第二电压，

在所述第二期间内，对所述第二字线施加所述第一判定电压以上的第三电压。

5.根据权利要求1或2所述的存储器设备，其特征在于还具备：

连接于所述第二及第四半导体部的源极线，且

在所述第一及第二期间内，对所述源极线施加第四电压，

所述第四电压比所述第一电压低，且比所述第二电压高。