[发明专利]封装结构

说明书

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及具有遮蔽部件的封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体装置已运用在各种电子应用上，例如个人电脑、手机、数位相机以及其他的电子设备。半导体装置的制造涉及在半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层、导电层、及半导体层，并且利用光刻工艺及蚀刻工艺将各材料层图案化，以在半导体基板上形成电路元件及构件。通常在单一半导体晶片上制造许多集成电路，且通过沿着切割道在集成电路之间进行切割，以从晶片切割出独立的管芯。个别的管芯通常分开地封装，例如封装在多芯片模块(multi-chip module)中或其他类型的封装结构中。

半导体产业通过持续地缩小最小部件尺寸，不断增加各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，使得更多的元件可整合至既定的面积内。在一些应用中，这些较小型的电子元件亦使用采用较小面积或较低高度的较小封装结构。

新的封装技术已开始发展，例如堆叠式封装(package on package，PoP)，此新的封装技术将具有一装置管芯的一顶封装体接合至具有另一装置管芯的一底封装体。通过采用新的封装技术，将各种具有不同或相似功能的封装体整合在一起。这些相对新型的半导体装置的封装技术面临工艺上的挑战，且这些技术并非全方面令人满意。

发明内容

本公开的一些实施例提供封装结构。封装结构包含位于基底层上的集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包含封装层，封住集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包括第二遮蔽部件，从基底层的侧表面朝向第一遮蔽部件延伸，以与第一遮蔽部件电性连接。第二遮蔽部件的侧表面背向基底层的侧表面，且大致上与封装层的侧表面共平面。

本公开的一些实施例提供封装结构。封装结构包含由封装层封住的集成电路管芯。封装结构还包含第一遮蔽部件，穿透封装层。封装结构还包括第二遮蔽部件，覆盖集成电路管芯及封装层。第二遮蔽部件朝向第一遮蔽部件延伸，以与第一遮蔽部件电性连接。再者，封装结构包含与第一遮蔽部件电性连接的重分布结构。第二遮蔽部件通过第一遮蔽部件与重分布结构分隔。

本公开的一些实施例提供封装结构的形成方法。封装结构的形成方法包含在基底层上形成第一遮蔽部件。封装结构的形成方法还包含在基底层上设置集成电路管芯。封装结构的形成方法还包括在基底层上形成封装层，以封住第一遮蔽部件及集成电路管芯。再者，封装结构的形成方法包含形成穿透基底层的开口。封装结构的形成方法还包含形成覆盖集成电路管芯及封装层的第二遮蔽部件。第二遮蔽部件延伸到开口中，以电性连接封装层内的第一遮蔽部件。

附图说明

图1绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。

图2A至图2K绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的各个阶段的剖面示意图。

图3绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。

图4绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。

图5绘示出根据一些实施例的封装结构的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

100 承载基板

100A、100B 区域

110 粘着层

120 基底层

120S、130S、270S、280S、290S、380S 侧表面

130 重分布结构

140、160、280 导电层

150、170、220、290 钝化层

180 导电部件

190、380 遮蔽部件

195 连接部件

200 集成电路管芯

210 半导体基底

230 导电垫

240、250、310、350 连接器

260 保护层

270 封装层

300 凸块下金属结构

320 载板

330、370 开口

340 元件

360 底胶层

具体实施方式