[发明专利]内连线结构及其制作方法

权利要求书

1.一种内连线结构，包含有：

介电层；

导体，埋设在该介电层中，其中该导体的一上表面与该介电层的一上表面齐平；

钴金属盖层，位于该导体的上表面上；

氮掺杂钴金属层，位于该钴金属盖层的顶面和侧壁上，其中该氮掺杂钴金属层在其厚度上具有一梯度掺质浓度分布；

蚀刻停止层，直接接触该氮掺杂钴金属层和该介电层，且不直接接触该钴金属盖层。

2.如权利要求1所述的内连线结构，其中该氮掺杂钴金属层在接近该氮掺杂钴金属层的一上表面处，具有一第一氮掺杂浓度，在接近该钴金属盖层处，具有一第二氮掺杂浓度，其中该第一氮掺杂浓度大于该第二氮掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的内连线结构，其中该氮掺杂钴金属层的厚度介于0至50埃。

4.如权利要求1所述的内连线结构，其中该导体包含铜。

5.如权利要求1所述的内连线结构，其中该导体被一阻障层所包覆。

6.如权利要求5所述的内连线结构，其中该阻障层包含钽或氮化钽。

7.如权利要求1所述的内连线结构，还包含铜导线结构，该铜导线结构包括第二阻障层和一体形成的铜导孔，该铜导线结构穿过该钴金属盖层和该氮掺杂钴金属层，且直接接触该导体，该钴金属盖层直接接触该第二阻障层。

8.如权利要求7所述的内连线结构，其中该蚀刻停止层包含SiCN、SiC、SiON、SiCON，或SiN。

9.如权利要求1所述的内连线结构，其中该介电层包含低介电常数材料或超低介电常数材料。

10.一种内连线结构，包含有：

介电层；

导体，埋设在该介电层中，其中该导体的一上表面与该介电层的一上表面齐平；

钴金属盖层，位于该导体的上表面上；

氮掺杂钴金属层，位于该钴金属盖层的顶面和侧壁上，其中该氮掺杂钴金属层在其厚度上具有一均匀的掺质浓度分布；

蚀刻停止层，直接接触该氮掺杂钴金属层和该介电层，且不直接接触该钴金属盖层。

11.如权利要求10所述的内连线结构，其中该氮掺杂钴金属层在接近该氮掺杂钴金属层的一上表面处，具有一第一氮掺杂浓度，在接近该钴金属盖层处，具有一第二氮掺杂浓度，其中该第一氮掺杂浓度等于该第二氮掺杂浓度。

12.如权利要求10所述的内连线结构，其中该氮掺杂钴金属层的厚度介于0至50埃。

13.如权利要求10所述的内连线结构，其中该导体包含铜。

14.如权利要求10所述的内连线结构，其中该导体被一阻障层所包覆。

15.如权利要求14所述的内连线结构，其中该阻障层包含钽或氮化钽。

16.权利要求10所述的内连线结构，还包含铜导线结构，该铜导线结构包括第二阻障层和一体形成的铜导孔，该铜导线结构穿过该钴金属盖层和该氮掺杂钴金属层，且直接接触该导体，该钴金属盖层直接接触该第二阻障层。

17.如权利要求16所述的内连线结构，其中该蚀刻停止层包含SiCN、SiC、SiON、SiCON，或SiN。

18.如权利要求10所述的内连线结构，其中该介电层包含低介电常数材料或超低介电常数材料。