[发明专利]一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括硅衬底、氮化铝层和图形化介质膜，氮化铝层制备在硅衬底上，图形化介质膜制备在氮化铝层上，该图形化介质膜具有若干个，并且相邻的图形化介质膜之间具有间隔间隙。

2.根据权利要求1所述的用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述图形化介质膜的图形化为圆形、三角形、多边形或者条纹状。

3.根据权利要求2所述的用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述图形化介质膜由二氧化硅、氮化硅、氮化钛、金属介质层或多晶氧化铝制成。

4.根据权利要求3所述的用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述相邻图形化介质膜之间的间隔间隙为10nm-2um。

5.根据权利要求4所述的用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述氮化铝层为至少一层的准单晶或者单晶。

6.根据权利要求5所述的用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为20nm-2um。

7.根据权利要求6所述的用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述硅衬底为N型、P型或者本征，尺寸范围为2-16英寸，厚度为200um-2mm。

8.一种根据权利要求1-7中任一项所述的复合衬底的制备方法，包括以下步骤：

选择N型、P型或者本征的硅衬底；

在硅衬底上制备一层氮化铝层；

在氮化铝层上制备一层介质膜；

利用甩胶的方法在介质膜表面制备一层胶层；

通过纳米压印对介质膜进行图形化处理，利用图形模板对胶层进行压挤，在胶层上形成与图形模板相同的图形，此时部分介质膜直接裸露，部分介质膜被胶层上的图形遮盖；

通过化学腐蚀或者物理刻蚀的方法去除直接裸露的介质膜；

再通过化学腐蚀方法去除覆盖着介质膜的胶层图形，得到图形化介质膜/氮化铝层/硅衬底结构的复合衬底。

9.根据权利要求8所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化铝层通过MOCVD、PLD或溅射或化学方式在硅衬底上制备。

10.根据权利要求9所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述介质膜通过PECVD、PLD、PVD、溅射、蒸镀或化学溶液旋涂方式制备。