[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件

权利要求书

1.一种碳化硅VDMOS器件，包括栅极结构、源极结构、漏极结构、漂移区(7)和JFET区(8)；其中漂移区(7)位于漏极结构之上，源极结构位于漂移区(7)之上，源极结构之间形成N型JFET区(8)；

所述源极结构包括P型阱区(3)以及位于P型阱区上部的N型源区(4)和P型体接触区(5)，所述N型源区(4)和P型体接触区(5)共同引出端为源极；N型源区(4)远离P型体接触区(5)一侧与P型阱区(3)边缘之间形成沟道区；

所述栅极结构覆盖于沟道区和JFET区(8)之上，所述栅极结构包括栅绝缘层(1)和位于栅绝缘层上的多晶硅或金属栅区(2)，所述多晶硅或金属栅区(2)引出端为栅极；

所述漏极结构位于漂移区之下，包括N型漏区(6)，所述N型漏区(6)引出端为漏极；

其特征是：

所述JFET区(8)的掺杂剂量从JFET区(8)和P型阱区(3)的接触面到JFET区(8)的中部逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述JFET区(8)从JFET区(8)和P型阱区(3)的接触面到JFET区(8)的中部依次形成1区、2区·······n区，其掺杂浓度按1区、2区·······n区的顺序递减，n≥2。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述1区、2区·······n区的结深是变化的，其结深按1区、2区·······n区顺序递减。