[发明专利]芯片嵌入硅基式扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽A，所述凹槽A内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，且所述芯片的焊盘面高出所述硅基体第一表面一段距离，所述第一表面上铺设有暴露所述凹槽A及所述芯片的胶层，所述胶层的厚度与所述凹槽A的深度之和等于所述芯片的厚度或与所述芯片的厚度相差小于50微米，所述芯片的焊盘的电性通过金属布线层扇出至所述胶层上方；所述芯片的焊盘面高出所述硅基体第一表面5微米以上。

2.根据权利要求1所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基体的第一表面上形成有凹槽B，所述胶层填充入所述凹槽B。

3.根据权利要求1或2所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述胶层为可光刻胶，所述胶层及所述芯片的焊盘面上铺设有介质层，且该介质层填充入所述芯片侧面与所述凹槽A之间以及所述芯片侧面与所述胶层之间的间隙内；所述介质层上依次设置有金属布线层、钝化层及导电凸点，且至少有部分导电凸点扇出至所述胶层上方，所述金属布线层通过所述介质层上形成的开口与所述芯片的焊垫电连接，所述导电凸点通过所述钝化层上形成的开口与所述金属布线层电连接。

4.根据权利要求1所述的一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片的焊盘面相对的非焊盘面通过黏结胶结合于所述凹槽A的底部。

5.一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.提供一硅基体圆片，所述硅基体圆片具有第一表面和与其相对的第二表面；

B.在所述硅基体圆片的第一表面上用旋涂或涂布的方式涂布一层可光刻胶；

C.在所述可光刻胶上进行光刻、显影工艺，形成胶层，在胶层上形成至少两个第一开口；

D.对所述硅基体圆片的第一表面对应第一开口的部分进行刻蚀，形成具有设定形状和深度的凹槽A，步骤C的胶层不去除；

E.通过贴片工艺，在所述凹槽A内放置至少一颗待封装的芯片，使所述芯片的焊盘面朝上，所述芯片的焊盘面高于硅基体的第一表面，所述芯片侧面与所述凹槽A的侧壁之间具有间隙；

F.通过涂布工艺，在所述凹槽A的侧壁与所述芯片侧面之间的间隙内填充聚合物胶，并在所述芯片的焊盘面以及所述胶层上表面覆盖一层该聚合物胶，形成介质层，并在所述芯片的焊盘正上方相应位置通过刻蚀工艺开设第三开口；

G.在完成步骤F之后的介质层上依次形成金属布线层、钝化层以及作为导电凸点的球栅阵列，且至少有部分导电凸点扇出至所述胶层上方；

H.将硅基体圆片切割成单个芯片埋入式扇出型封装体。

6.根据权利要求5所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤C改为：在所述可光刻胶上进行光刻、显影工艺，形成临时胶层，在临时胶层上形成至少两个第一开口；

步骤D改为：对所述硅基体圆片的第一表面对应第一开口的部分进行刻蚀，形成具有设定形状和深度的凹槽A，然后，去除所述临时胶层；

步骤F改为：通过晶圆级Molding工艺，将不可被光刻的聚合物胶填充满所述凹槽A侧壁与所述芯片侧面之间的间隙，且该聚合物胶包覆在所述芯片侧面的四周，形成胶层；然后通过涂布工艺在所述芯片的焊盘面及所述胶层上铺设一层介质层，并在所述芯片的焊盘正上方相应位置通过刻蚀工艺开设第三开口。

7.根据权利要求6所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤F改为：通过晶圆级Molding工艺，将不可被光刻的聚合物胶填充满所述芯片侧面与所述凹槽A侧壁之间的间隙，并完全覆盖住所述芯片的焊盘面，形成胶层；然后，在芯片的焊盘正上方相应位置通过激光划片技术开设第三开口。