[发明专利]COA型阵列基板

权利要求书

1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括多条栅极线(11)、与所述多条栅极线(11)交叉设置的多条数据线(12)、与所述多条栅极线(11)同层设置的多条金属公共电极线(13)、设于所述多条栅极线(11)与所述多条数据线(12)上方的DBS公共电极线(19)、设于所述多条数据线(12)与所述DBS公共电极线(19)之间的彩色滤光层(50)、以及由所述多条栅极线(11)与所述多条数据线(12)限定的多个像素单元(20)；

所述DBS公共电极线(19)包括多条分别对应位于所述多条数据线(12)的上方并将其遮住的竖向DBS公共电极线(191)；

每个像素单元(20)均具有相对设置的主像素区域(101)、及次像素区域(102)；

每个像素单元(20)在主像素区域(101)均设有主像素电极(24)、及主薄膜晶体管(14)；

每个像素单元(20)在次像素区域(102)均设有次像素电极(25)、次薄膜晶体管(15)、及共享薄膜晶体管(17)；

每个像素单元(20)还包括浮块(21)、及第一引线(22)，其中，所述浮块(21)设置于一贯穿所述彩色滤光层(50)的第一过孔(501)内，所述浮块(21)在第一过孔(501)内将共享薄膜晶体管(17)的源极与相应金属公共电极线(13)电连接，所述第一引线(22)从DBS公共电极线(19)上引入第一过孔(501)内将该第一过孔(501)内的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接；

所述DBS公共电极线(19)、以及每一像素单元(20)的主像素电极(24)、次像素电极(25)、及浮块(21)通过同一材料层经图案化形成。

2.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，每个像素单元(20)中，所述第一引线(22)与所述浮块(21)对应设置，所述第一引线(22)从相应的竖向DBS公共电极线(191)引入第一过孔(501)内，从而将相应的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接。

3.如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述DBS公共电极线(19)还包括与所述多条竖向DBS公共电极线(191)垂直相交的多条横向DBS公共电极线(192)；

每个像素单元(20)还包括与所述浮块(21)对应设置的第二引线(23)，所述第二引线(23)从相应的横向DBS公共电极线(192)引入第一过孔(501)内，从而将相应的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接。

4.如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述第一引线(22)相对于竖向DBS公共电极线(191)倾斜地或垂直地引入第一过孔(501)内。

5.如权利要求3所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述第二引线(23)相对于横向DBS公共电极线(192)倾斜地或垂直地引入第一过孔(501)内。

6.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，每个像素单元(20)中，所述浮块(21)的数量为一个、或两个。

7.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述多条栅极线(11)、所述多条金属公共电极线(13)、以及每一像素单元(20)中主薄膜晶体管(14)的栅极、次薄膜晶体管(15)的栅极、及共享薄膜晶体管(17)的栅极均属于第一金属层(30)；

所述多条数据线(12)、以及每一像素单元(20)中主薄膜晶体管(14)的源漏极、次薄膜晶体管(15)的源漏极、及共享薄膜晶体管(17)的源漏极均属于第二金属层(40)；

所述DBS公共电极线(19)与每一像素单元(20)的主像素电极(24)、次像素电极(25)均属于透明导电层(60)；

所述第二金属层(40)形成于第一金属层(30)之后，所述彩色滤光层(50)形成于第二金属层(40)之后，所述透明导电层(60)形成于彩色滤光层(50)之后。