[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201710136037.0 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107170863B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林政宏;黄政杰;黄吉豊 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一第一型半导体层；
一第二型半导体层；
一发光层，配置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；以及
一电洞提供层，其为掺杂碳的氮化铝铟镓基础层，配置于所述发光层与所述第二型半导体层之间，其中所述电洞提供层包括一第一电洞提供层、一第二电洞提供层以及一第三电洞提供层，所述第一电洞提供层配置于所述发光层与所述第二电洞提供层之间，所述第二电洞提供层配置于所述第一电洞提供层与所述第二型半导体层之间，且所述第三电洞提供层配置于所述第二电洞提供层与所述第二型半导体层之间，其中相较于所述第二电洞提供层中的铝含量，所述第一电洞提供层中的铝含量具有就铝浓度曲线而言的一第一高峰，且相较于所述第二电洞提供层中的铝含量，所述第三电洞提供层中的铝含量具有就铝浓度曲线而言的一第二高峰，
其中所述第一电洞提供层、所述第二电洞提供层以及所述第三电洞提供层掺杂有浓度大于或等于3x1017 atom/cm3的碳；
其中铝浓度曲线的所述第一高峰的值大于铝浓度曲线的所述第二高峰的值。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一电洞提供层、所述第二电洞提供层与所述第三电洞提供层分别为一超晶格电洞提供层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一电洞提供层、所述第二电洞提供层以及所述第三电洞提供层掺杂有浓度大于或等于1019atom/cm3的镁。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中相较于所述第一电洞提供层与所述第三电洞提供层中的镁含量，所述第二电洞提供层中的镁含量具有就镁的浓度曲线而言的一第三高峰。
5.一种半导体结构，包括：
一第一型半导体层；
一第二型半导体层；
一发光层，配置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；以及
一电洞提供层，配置于所述发光层与所述第二型半导体层之间，所述电洞提供层为掺杂碳的氮化铝铟镓基础层，其中所述电洞提供层，在所述电洞提供层中的铝浓度曲线具有两个相邻的高峰包括一第一高峰在靠近所述发光层处以及一第二高峰在靠近所述第二型半导体层处，
其中所述电洞提供层掺杂有浓度大于或等于1019atom/cm3的镁，且所述电洞提供层中的镁的浓度曲线具有位于铝浓度曲线的所述第一高峰与所述第二高峰之间的一第三高峰。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中铝浓度曲线的所述第一高峰的值大于铝浓度曲线的所述第二高峰的值。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述电洞提供层掺杂有浓度大于或等于3x1017atom/cm3的碳。
8.一种半导体结构，包括：
一第一型半导体层；
一第二型半导体层；
一发光层，配置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；
一第一氮化镓(GaN)基础层，包含铝与铟，且配置于所述发光层与所述第二型半导体层之间；
一第二氮化镓基础层，包括铝与铟，且配置于所述第一氮化镓基础层与所述第二型半导体层之间；以及
一第三氮化镓基础层，包括铝与铟，且配置于所述第二氮化镓基础层与所述第二型半导体层之间，
其中相较于所述第二氮化镓基础层中的铝含量，所述第一氮化镓基础层中的铝含量具有就铝浓度曲线而言的一第一高峰，且相较于所述第二氮化镓基础层中的铝含量，所述第三氮化镓基础层中的铝含量具有就铝浓度曲线而言的一第二高峰，
其中所述第一氮化镓基础层、所述第二氮化镓基础层以及所述第三氮化镓基础层掺杂有浓度大于或等于1019atom/cm3的镁，且所述第一氮化镓基础层掺杂有浓度大于或等于3x1017atom/cm3的碳。
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