[发明专利]一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置

权利要求书

1.一种存储器芯片初始操作电压配置方法，其特征在于，所述方法提供预设的多个电压值作为测试电压，对每个存储器芯片进行测试操作，所述方法包括：

从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断所述测试操作是否成功；

如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压；

如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤之前，所述方法还包括：

确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值△V；

将所述开始电压Vin、Vin+△V、Vin+2△V、Vin+3△V…Vin+n△V确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+n△V等于所述最高电压Vmax。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值；

确定所述差值和所述电压变化值△V之间的倍数关系；

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压的步骤，包括：

通过对芯片的反复试验测试，并对多个芯片的测试情况进行分析，预设对比阈值Tref；

当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin+△V*(Tn-Tref)；

当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对所述存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤，包括：

按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

8.一种存储器芯片初始操作电压配置装置，其特征在于，所述装置包括：

第一选择模块，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

测试模块，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断模块，用于判断所述测试操作是否成功；

第一确定模块，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

第二确定模块，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压；

第二选择模块，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第三确定模块，用于确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值△V；

第四确定模块，用于将所述开始电压Vin、Vin+△V、Vin+2△V、Vin+3△V…Vin+n△V确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+n△V等于所述最高电压Vmax。