[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成半导体层，所述半导体层包括第一导电类型的第一掺杂剂种类和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二掺杂剂种类，所述半导体层是包括相对的第一和第二表面的半导体主体的一部分；

在第一表面处形成沟槽到半导体层中；

用至少包括半导体材料的填充材料来填充沟槽；

在第一和第二表面中的一者或两者处形成热氧化物，所述热氧化物包括至少200nm的厚度，以便在所述半导体层中形成间隙原子；以及

对半导体主体的热处理，被配置成引起第一和第二掺杂剂种类跨越所述半导体层中的间隙原子中的至少一些扩散并且扩散到填充材料中，所述间隙原子通过形成所述热氧化物来形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热氧化物在第一表面处形成，并且所述方法还包括：

去除半导体器件的有源区域中的热氧化物，并且维持边缘终止区域中的热氧化物，所述热氧化物组成场电介质；

在边缘终止区域中形成结终止结构；以及

在有源区域中形成栅极电介质。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括，完全去除第一和第二表面中的一者或两者处的热氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成热氧化物至少部分地与被配置成引起第一和第二掺杂剂种类扩散到填充材料中的对半导体主体的热处理一致。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成热氧化物包括热湿法氧化过程。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在第一和第二表面中的一者或两者处形成热氧化物包括：形成热氧化物；完全或部分地去除热氧化物；以及再次形成热氧化物或增加热氧化物的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，完全或部分地去除热氧化物以及再次形成热氧化物或增加热氧化物的厚度的过程影响第一和第二表面中的一者或两者的子区域。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，第一掺杂剂种类的扩散机制是主要为空穴扩散，并且第二掺杂剂种类的扩散机制是主要为间隙原子扩散，而且其中，在对半导体主体的热处理期间，由于在半导体层中存在间隙原子，相对于第一掺杂剂种类的扩散速度增加第二掺杂剂种类的扩散速度。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成半导体层，所述半导体层包括第一导电类型的第一掺杂剂种类和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二掺杂剂种类，所述半导体层是包括相对的第一和第二表面的半导体主体的一部分；

在第一表面处形成沟槽到半导体层中；

用至少包括半导体材料的填充材料来填充沟槽；

通过离子注入引入非掺杂剂元素到半导体层中，以便在所述半导体层中形成间隙原子；以及

对半导体主体的热处理，被配置成引起第一和第二掺杂剂种类跨越半导体层中的间隙原子来扩散并且扩散到填充材料中，所述间隙原子通过非掺杂剂元素形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，第一和第二掺杂剂种类被选择成，使得第一和第二掺杂剂种类中的一个掺杂剂种类的扩散机制是主要为空穴扩散，并且第一和第二掺杂剂种类中的另一个掺杂剂种类的扩散机制是主要为间隙原子扩散，而且其中，在对半导体主体的热处理期间，由于在半导体层中存在间隙原子，相对于第一掺杂剂种类的扩散速度增加第二掺杂剂种类的扩散速度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，基于主要为空穴扩散的第一和第二掺杂剂种类中的一个掺杂剂种类是砷或锑，并且基于主要为间隙原子扩散的第一和第二掺杂剂种类中的另一个掺杂剂种类是硼或铝。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述半导体层中的第一和第二掺杂剂种类的掺杂的总剂量相差至多20%。