[发明专利]一种基于神经网络的功率放大器有效
申请号: | 201710134122.3 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN107104647B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 刘洋;莫雁杰;雷旭;顾珣;于奇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F1/32;H03F1/34;H03F1/56 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 神经网络 功率放大器 | ||
1.一种基于神经网络的功率放大器,包括功率放大器核心电路模块、基于神经网络的输出幅度控制电路模块、线性度提高电路模块和输出匹配电路模块,其特征在于:
所述功率放大器核心电路模块采用AB类功率放大器由功率驱动电路和功率放大电路组成;
基于神经网络的输出幅度控制电路模块由反馈电路和调节反馈系数的神经网络组成;线性度提高电路模块由电阻电容并联组成;神经网络通过分析输出幅度的大小自动调节M9的尺寸,使反馈电路的反馈系数β取得最佳值,从而实现输出幅度的稳定;
外接偏置电压产生电路模块为功率放大器提供偏置电压,功率驱动电路的输出接功率放大电路的输入,线性度提高电路模块的两端分别连接功率驱动电路与功率放大电路的共栅端,功率放大电路的输出接输出匹配电路模块的输入;反馈电路的输入端接输出匹配电路模块的输出端,反馈电路的输出端接功率放大电路的共源端,神经网络接反馈电路的控制端;
所述反馈电路由NMOS对管M7、M8,电流镜NMOS管M5,尾电流源NMOS管M6,电流源PMOS管M9、M10和偏置电阻R2组成;其中NMOS对管的尺寸比为1:1,采用差分对形式连接;
电流源PMOS管M9、M10的栅极与漏极短接并分别与NMOS对管M7、M8的漏极相连,电流源PMOS管M9、M10源极接电源,NMOS对管M7、M8源极短接并与尾电流源NMOS管M6的漏极相连,尾电流源NMOS管M6的源极接地,尾电流源NMOS管M6的栅极与电流镜NMOS管M5的栅极相连,NMOS管M7接功率放大器输出,NMOS管M8外接参考电压Vref,偏置电阻R2一端与NMOS管M7的漏极相连,另一端接功率放大级共源NMOS管M3的栅极相连,PMOS管M9由MOS管阵列组成。
2.如权利要求1所述基于神经网络的功率放大器,其特征在于:
所述线性度提高电路模块由两个电容和一个电阻组成,其中两个电容串联,电阻一端接两个电容之间,另一端接地;其输入端接功率放大电路中共栅NMOS管的栅极,输出端接功率驱动电路中共栅NMOS管的栅极。
3.如权利要求1所述基于神经网络的功率放大器,其特征在于:
所述功率放大器核心电路模块采用两级共源共栅放大结构,第一级为功率驱动电路,由共源NMOS管,共栅NMOS管和扼流电感组成;第二级为功率放大电路,由共源NMOS管,共栅NMOS管和扼流电感组成;第一级电路和第二级电路之间通过耦合电容连接。
4.如权利要求1所述基于神经网络的功率放大器,其特征在于:所述输出匹配电路模块采用T型网络匹配,由两个电容和一个电感组成;两个电容串联,电感一端接两个电容之间,另一端接地;其输入端接功率放大级共栅NMOS管的漏极,输出端接负载电阻。
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